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ZnO具有纤锌矿晶体结构,是一种新型的直接带隙宽禁带半导体,其禁带宽度为3.37 eV,激子束缚能为60 meV,可以实现室温下的激子发射。ZnO薄膜可在低于600℃的温度下获得,较GaN、SiC和其它Ⅱ-Ⅵ族半导体宽禁带材料的制备温度低很多,这些特点使ZnO具备了作为室温短波长光电子材料的必备特征。因此,研究ZnO薄膜的发光特性具有十分重要的意义。ZnO作为新一代的宽禁带半导体材料,具有广泛的应用,如:ZnO薄膜可以制成表面声波谐振器、压电器件、GaN蓝光薄膜的过渡层以及透明导电膜等。自从1997