自旋极化率相关论文
本文主要研究了在铁磁-半导体-铁磁(F/S/F)系统中电子的量子输运特性,分别考虑了Rashba自旋轨道耦合和Dresselhaus自旋轨道耦合作用,......
利用Mireles和Kirczenow在弹道输运的Landauer理论框架内提出的相干量子输运理论和传递矩阵的方法,考虑到自旋轨道耦合作用,研究在......
JLab E08-027实验在2012年3月至5月期间成功获取了数据,其目的是测量质子的极化结构函数92以及自旋极化率dLT.当前不管对于理论物......
由于二极管有二次击穿等缺点,在实际应用中给生活生产带来一定的不便。随着科技的发展,晶体管的时代逐渐到来,其中场效应晶体管在......
近年来,超冷费米原子气体性质的研究一直是量子物理学中研究的热点问题。通过调节外磁场到费什巴赫共振,改变费米子之间的散射长度......
半金属性的Heusler合金Co_2FeAl具有在费米面附近100%的自旋极化率、低的阻尼因子和高的居里温度等优势,使其在自旋电子学器件中有......
2004年,研究人员首次在实验上制备了石墨烯,自此引发了对二维材料研究的新热潮。由于石墨烯所具有的优异的物理性质,它被看作最有......
目前,对原子气室内自旋极化率的空间操控与测量已有不少研究,但是对这类研究缺乏系统的分析、整理和综述.通过对文献的梳理,将现有......
TMR效应的理论研究表明采用高自旋极化率的材料作铁磁电极是获得大的TMR效应的关键,传导电子完全自旋极化的半金属磁体的发现给TMR......
传统的电子器件都是以电子电荷作为信息载体的,这会产生大量的热量,使得器件集成度变得非常有限。电子的自旋却可以克服这种弊端。半......
半金属有着较高的居里温度和100%的高自旋极化率,是一种具有极大应用潜能的半导体自旋电子学材料。目前半金属的研究大多处于理论......
本文采用第一性原理计算方法,以Graphene及其相关量子系统为研究对象,探讨了在吸附、掺杂金属原子等调控手段下Graphene及其相关量子......
硅烯是一种新型的类石墨烯的二维材料,它由硅原子呈六角蜂窝状紧密排列组成,并且具有同石墨烯相类似的高载流子迁移率和电导率.与石......
自旋电子学作为一门新兴学科,受到的关注日益增多。尤其是信息的存储和处理方面,与传统的半导体器件相比,自旋电子器件同时利用了电子......
电子同时具有电荷和自旋两种属性,它的电荷属性在半导体材料中获得极大的应用,推动了电子技术、计算机技术和信息技术的发展。然而随......
费米子系统在低温下展现的奇特物理现象是当今物理学界的研究热点问题。近年来,实验技术的不断发展和完善,使实验上实现了分子玻色-......
评述了近年发现的铁磁金属/绝缘体/铁磁金属隧道结中与自旋相关隧穿效应相联系的巨磁电阻效应及包括结电导、磁电阻和它们对温度和......
采用相干量子输运理论和传递矩阵方法,研究了具有不同自旋指向的极化电子渡越铁磁/半导体/铁磁异质结构的隧穿几率和自旋极化率.研......
研究了量子环透射终端与入射终端相对位置改变时的变化规律。研究结果表明:透射概率和自旋极化率随半导体环尺寸的增大作周期性振荡......
采用分子束外延技术在GaAs(001)-4×6衬底上外延出Fe/MgO/Fe(001)单晶磁性隧道结.原位表面磁光Kerr效应(SMOKE)测量表明:当外磁场沿[1 10......
通过第一性原理计算研究了二元half-Heusler合金的占位方式、电子结构与磁性,预测了新的半金属材料Fe:Ge,并讨论了Fe:si的总磁矩和自旋......
基于Winful的隧穿时间模型,对普通金属/铁磁绝缘体/普通金属(NM/FI/NM)、普通金属/铁磁半导体/普通金属(NM/FS/NM)2种隧道结中的隧......
研究了在有限长度半导体异质结的二维电子气中具有Rashba效应的电子输运特性。从Schrdinger方程出发,通过解析分析来研究电子的......
文章在自旋电子学与新型计算机元件的背景下介绍了与半导体相容的半金属铁磁体,及其实验和理论研究进展情况.指出其中半稳能量低并......
根据量子相干输运理论,利用传递矩阵的方法,研究自旋电子在铁磁体(F)/半导体多量子阱(SWM)/铁磁体的一维结构中,考虑自旋轨道耦合效应时的量......
如何避免界面反应、可靠地提取材料的自旋极化率是自旋电子学的一个基本问题.本文选取了一种独特的铁磁性层状过渡族金属硫化物Fe0......
本论文主要研究了高能重离子碰撞中的局部自旋极化效应以及与之相关的高维数值积分。最近,STAR实验测量了高能重离子碰撞中Λ(Λ)......
随着电子器件的小型化,自旋电子学器件的研制引起了广泛关注。自旋电子学器件需要从磁电极到半导体的有效自旋极化电子的注入,因此......
研究在自旋轨道耦合和周期振动场的作用下,电子隧穿双量子阱结构的透射系数和自旋极化率.通过数值计算发现:隧穿后电子的自旋简并消除......
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”$ MN。W;- __._——————》 砧叫]们......
利用射频共溅射的方法制备了不同金属含量φ的Fe-SiO2金属-绝缘体颗粒膜, 系统研究了薄膜的微结构、磁性以及隧道磁电阻(TMR)效应.......
基于磁隧道结(Magnetic Tunnelling Junction, MTJ)的磁随机存储器(Magnetic Random Access Memory, MRAM)由于具有非易失性、存储......
近年来,石墨烯、以及一大批碳基和类石墨烯二维材料,如h-BN单层、硅烯、磷烯、锑烯、锗烯、Ⅲ-Ⅳ主族典型半导体硒化铟(InSe)等被......
随着日益增长的高密度存储、新型电子学器件以及量子计算等方面的需求,性能远优于常规的半导体器件的自旋电子器件,引起了越来越多......
拓扑绝缘体作为近几年发现的一种崭新的量子态物质,已经成为了凝聚态物理特别是自旋电子学领域的热点,并不断取得一系列重大突破。......
本文在有效质量近似下,选取双量子阱异质结构GaAs/Al0.3Ga0.7As作为电子隧穿输运的结构,利用投影格林函数方法(PGF)和递归法,研究......
半金属-半导体异质结在自旋注入、p-n结以及磁随机存储中具有潜在的应用价值。近些年来,Fe3O4作为一种高居里温度,制备简单的半金......
本论文应用量子波导理论对半导体Aharonov-Bohm(AB)测试仪中自旋相关的电子输运特性进行了研究。我们所研究的半导体AB测试仪由半......
采用相干量子输运理论和传递矩阵方法,数值计算了两端具有铁磁接触的双势垒异质结构(F/DB/F)中自旋相关的隧穿概率和自旋极化率。结......
随着科学技术的飞速发展,特别是上世纪70年代以来电子半导体器件的发展,人们对电子器件的需求越来越广泛.而铁磁体/有机半导体材料......