【摘 要】
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光电探测在通讯、显示、环境监测等军事和民用领域均具有重要的研究和应用价值。其中新材料的开发和应用一直是光电探测器研究中的热点。高稳定性的金属氧化物以及狄拉克半金
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光电探测在通讯、显示、环境监测等军事和民用领域均具有重要的研究和应用价值。其中新材料的开发和应用一直是光电探测器研究中的热点。高稳定性的金属氧化物以及狄拉克半金属材料等新型材料以其独特的光电性质引发了人们巨大的研究热情。针对现有芯片工艺均建立在硅材料基础上的现状,在本项研究中主要构建研究了PdO/Si及ZrTe5/Si两种新型材料与硅异质结光电探测器。其中大面积均匀的PdO薄膜是通过氧化电子束蒸发Pd薄膜制备得到的。在此基础上获得的PdO/Si的异质结光电探测器峰值探测波长为970nm,可应用于近红外成像。得益于PdO及Si的高稳定性,PdO/Si异质结光电探测器展现出了出色的可重复性及空气中的稳定性。此外采用脉冲激光沉积的方法制备得到了半金属材料Zr Te5的薄膜。其同Si组成的异质结具有低的暗场电流3.40×10-7mA（0V）。该器件对光强变化敏感,当光强为19.7 mW/cm2,开关比可达到1.68×104。它的峰值响应位于可见光区,在650nm光照下其响应率和探测率可分别达120mA/W和1012Jones。这些研究结果显示了金属氧化物及狄拉克半金属材料在光电探测器中的潜在应用前景。
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