伴随着社会经济的快速发展,社会各行业部门对电能的需求越来越高,电力系统对电力电子装置要求更高的电压,更大的功率容量和更高的可靠性。SiC MOSFET因其具有高电压、大功率、耐高温、低开关损耗等特点,突破了硅基器件的局限性,逐渐受到了市场的青睐。然而SiC MOSFET暂态高开关过程对寄生参数非常敏感,容易导致严重的电压电流尖峰、开关振荡等现象,电磁干扰突出等问题,这将严重影响电力系统设备运行的稳定性和安全性。针对SiC MOSFET的暂态过程问题,该论文基于双脉冲测试方法建立器件模组的分析模型,对器件的开关暂态过程进行理论分析。然后以驱动控制为切入点,提出分级驱动控制方法,通过控制分级驱动电压的幅值及其维持时间,降低漏极电流和漏源极电压的变化率,对器件的开关特性进行优化。在开关电源仿真软件LTspice中,搭建仿真模型对分级驱动电压设计值的有效性进行仿真分析,并利用CREE公司的CAS300M17BM2 SiC MOSFET半桥模组搭建物理试验平台,对分级驱动控制方法进行了试验验证。对于采用分级驱动控制方法优化SiC MOSFET的开关特性,会延迟器件的开关时间,致使损耗增加的问题,该论文在器件级和电力系统典型装置应用级对相应的损耗分别进行了分析。通过对器件级的损耗分析,分级驱动控制方法优化器件的开关特性,会以牺牲部分开关能耗为代价,但是仍小于同电压等级Si IGBT的开关能耗。在装置设备应用中,通过对电力系统典型应用的DC/DC变换器和STATCOM换流单元的应用损耗分析,与常规并联RC缓冲电路相比,采用分级驱动控制的SiC MOSFET应用总损耗反而更低。