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高频表面声波(SAW)驱动下的单电子输运问题的研究对物理学的基础理论、半导体器件的进一步发展和计量学的研究具有重要意义。本文在已有理论模型的基础上,着重研究了二维电子气(2DEG)深度对声电电流量子化特性的影响,得到了若干创新性的结果:推广了在不考虑2DEG深度情况下参数(的定义,提出了一个函数关系作为声电电流量子化特性的分析公式,得到了求解一维薛定谔方程的数值解的程序和对量子化声电电流有益的二维电子气的最佳深度区间,计算结果与实验结果一致。这些结果对研制表面声波驱动单电子输运器件,特别是器件所需的