二维电子气相关论文
二维电子气（2DEQ）是电子在二维平面内自由运动,并在垂直于该平面方向运动受到限制,近年来是凝聚态物理、等离子体物理的研究热点之一......
当固体的一个或多个维度降低时,就产生了低维结构,或低维系统,材料的表面和界面、石墨烯等二维材料及纳米带都属于低维系统;由于维......
通过金属有机物化学气相沉积（MOCVD）法，在6英寸硅（111）衬底上生长了出制作高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistor，HEMT）的......
带电粒子与二维自由电子气相互作用是表面物理学中的重要研究内容,也是典型的等离子物理、固体物理和核物理领域的交叉课题。随着......
硅基光电子集成和半导体量子计算是两大前沿研究领域。硅基光源的实现是硅基光电子集成的核心课题。将直接带隙的III-V族发光材料......
2004年,Ohtomo等人在LaAlO3/SrTiO3（LAO/STO）氧化物界面发现了高迁移率的二维电子气（2DEG）,随后人们发现该界面存在许多新奇的物理特性......
二维体系的范德瓦尔斯异质结常常具有新颖独特的物理现象,在光电子器件和纳米器件领域有着巨大的应用前景。大多数的范德瓦尔斯异......
近年来,超薄二维材料由于具有优异的机械性能和半导体性能,成为人们研究的热点。钙钛矿氧化物作为一种特殊的二维材料,在应变的作......
20世纪80年代初低温二维电子气中量子霍尔效应的发现开创了凝聚态物理学中一个全新的研究领域——量子输运。在过去30年中,这个领......
第三代半导体器件具有高能效、低功耗和高极端性能,在电子电力、微波射频和光电子等领域展现出广泛的应用前景。基于第三代半导体......
GaN因具有宽禁带、高饱和电子速度和良好的热导率等优点而被视为制作高压高重频超快光电导开关（photoconductive semiconductor swi......
随着大数据时代的到来,人们对数据传输速率和存储密度的要求日渐提高,技术成熟的电子学器件和传统光子学器件已无法满足社会进步的......
LaAlO3（LAO）和SrTiO3（STO）界面可以存在二维电子气,且表现出丰富的物理效应,如铁磁性、超导电性、可调的Rashba自旋轨道耦合和高效的自......
日盲紫外探测器有广泛的应用前景。MgZnO材料由于对紫外光比较敏感、响应度比较高、可探测紫外光范围比较宽,因此MgZnO成为了一种......
随着光电子器件向低维度、多波段、集成化方向发展,多色光电探测器成为光学与电子信息领域中的研究热点。其中,紫外（UV）探测技术由于......
凭借优异的铁电性能,铁电薄膜在非易失性存储器、铁电隧道结、铁电场效应晶体管等领域得到了广泛应用。但是铁电薄膜在低于临界厚......
界面超导电性是凝聚态物理中一个热门的研究课题,而异质界面因其新奇的量子效应在科学研究和工业应用中都发挥着重要的作用。在本......
单层石墨烯是在室温下能存在的二维电子气，由于其线性色散关系与传统二维电子气相区别，在光、电、磁等多方面（如室温量子霍尔效应、高......
通过化简复杂非线性的费米能级EF与二维电子气密度ns关系,并利用化简后函数的一阶泰勒多项式建立了线性化AlGaN/GaN HEMT中EF与ns......
采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同AlN隔离层厚度的AlGaN/AlN/GaN结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。研究......
设计了一种基于场效应晶体管的量子点场效应单光子探测器,利用二维弛豫时间的近似理论建立了二维电子气电子迁移率的散射模型,通过......
GaN基异质结器件是利用AlGaN势垒层对GaN的应力作用,由逆压电效应使界面能带弯曲,产生二维电子气(2DEG)层。而AlGaN/GaN异质结构中......
随着半导体产业的发展,依照摩尔定律,集成电路的器件尺寸越来越小,密度也越来越高。由于电源电压并没有随着器件的尺寸降低,造成严......
扫描探针显微镜(SPM)是目前纳米科技领域非常热门的一种表征方法,可以在纳米级甚至原子量级进行高精度成像及原位表面测量,极大地......
太赫兹波具有极高的应用价值,太赫兹源的研究已经成为国内外太赫兹科学技术研究的关键课题。本文以太赫兹等离子体波的激发为基础,......
随着太赫兹科技的发展,太赫兹波已经应用到许多领域,这极大地推进了太赫兹器件的研究,尤其是太赫兹源器件的研究。Dyakonov和Shur......
信息时代的强力推进带来了光子学研究的日益深化与光子学技术大踏步的前进,催生了纳米光子学这一新的充满蓬勃活力的新领域。此领......
自旋光电流是由圆偏振光或者线偏振光激发产生的自旋极化的光电流,它包含圆偏振光致电流和光致逆自旋霍尔电流两种光电流。圆偏振......
Ⅳ-Ⅵ族碲化物是指由Ⅳ族的Ge、Sn、Pb元素与Ⅵ族的Te构成的化合物,它们属于窄带隙半导体;Ⅱ-Ⅵ族碲化物则是指由Ⅱ族的Zn、Cd、Hg......
Al GaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)具有高的载流子浓度和高的迁移率,在高频和高功率等领域表现出了优异的性能。一方面,HEMT器件......
以MgZnO/ZnO及Al_2O_3/SrTiO_3异质结为代表的氧化物异质结界面处二维电子气(2DEG)的发现,为高电子迁移率晶体管(HEMT)、高温高频......
随着器件特征尺寸进入纳米领域并不断缩小,日益增大的静态功耗已经成为制约集成电路发展的重要因素。现有的金属氧化物半导体场效......
回顾了在高温条件下A1GaN/GaN HEMT器件特性的研究进展.发现2DEG的高温特性是影响器件高温性能的根本内在因素,且外延材料的缺陷、......
巨磁阻(giant magnetoresistance,GMR)效应自发现以来便引起了人们极大地关注，尤其是在高密度读出磁头、磁传感器、随机存储器等方......
近年来，由于在基础物理研究中的重要性和在诸如磁力存储器，磁力传感器之类的器件中的应用潜力，非均匀磁场调节下二维电子气(2DEG)的性......
作为典型的强关联电子材料，钙钛矿过渡金属氧化物及其异质结构表现出许多新奇的物理现象和广阔的应用前景，近年来一直是凝聚态物理关......
近年来,有关介观体系输运方面的研究工作大都是以半导体异质结为研究对象,考虑自旋轨道耦合,研究系统的自旋霍尔效应,或进行自旋流......
电子器件已经随处可见，成为人们不可或缺的日常用品。跨入二十一世纪之后，光子学的研究不断的深入，光子技术也得到了极大的发展。然而......
高频表面声波(SAW)驱动下的单电子输运问题的研究对物理学的基础理论、半导体器件的进一步发展和计量学的研究具有重要意义。本文......
GaN-HEMT的应用领域包括高频大功率微波器件、压力传感器、生物检测等，并且有着重要的前景和地位，而HEMT器件的性能依赖于2DEG的输运......
本论文主要就纳米电子学中的Rashba自旋轨道耦合体系下自旋输运性质(非平衡自旋堆积)和A1量子点接触中的电荷输运性质(ShotNoise)......
二十世纪九十年代初，由于电子束微刻等技术的发展和成熟，人们在实验室中成功的实现了对二维电子气体的纳米尺度的磁调制。由于这种结......
本文主要讨论了低维量子体系中的相变和临界现象。这些体系包括一维两分量玻色子体系、一维海森堡链、一维玻色费米混合体系和二维......
