金刚石具有宽禁带、高热导率、高载流子迁移率、高击穿电压等特性,被认为是新一代理想的半导体材料,制成的半导体器件可在高压、高频及高功率等恶劣条件下工作。金刚石器件在晶体生长及后期辐照处理过程中都会产生微观缺陷,这对器件的宏观性能影响很大。目前关于金刚石微观缺陷的研究主要集中在空位相关缺陷上,而对本征间隙原子相关的缺陷报道较少。本论文利用低温光致发光光谱研究了IIa型金刚石经近阀能电子辐照后产生的本征缺陷。研究了光谱中零声子线的温度依赖性、沿深度方向的分布情况,以及退火对零声子线强度与分布的影响,阐明IIa型金刚石中间隙原子缺陷对应的零声子线。具体结果如下:IIa型金刚石中550.3nm和593nm零声子线对应的缺陷对晶体化学键的软化程度较低,其热软化系数低于理想金刚石;550.3nm零声子线的热猝灭激活能与本征间隙原子缺陷接近。随着辐照电子剂量和辐照电压的增加,550.3nm和593nm零声子线都伴随着GR1增强而增强,且其低能量一侧观察不到明显的声子边带;550.3nm和593nm零声子线具有与GR1中心不同的温度依赖性及增宽机制;593nm零声子线在表面以下5μm处强度最高,这与其他本征间隙原子缺陷的分布类似;随着晶体深度不断增加,NV中心强度增大系数,与GR1中心和593nm零声子线强度衰减系数之差非常接近;退火过程中,GR1中心强度估算的中性空位浓度,与由550.3nm和593nm零声子线强度估算出来的本征间隙原子缺陷浓度数量级相同。基于以上实验结果分析,550.3nm和593nm零声子线很可能是由本征间隙原子缺陷引起的。