本文主要采用石墨烯(Gr)独特的优势来制备和表征石墨烯／硅(Gr/Si)的光电探测器。并在此基础提出并深入探讨了提高背对背肖特基结的金属-半导体-金属器件性能的方法。主要的研究结果如下：(1)从Gr与硅肖特基结形成机理着手,制备了Gr/Si基紫外光电探测器,并研究了该肖特基结的特性。采用电流-电压特性表征其整流特性,并从该电流-电压特性中利用热电发射理论提取该二极管参数,其中,理想因子为1.203,势垒高度约为0.86 eV,串联电阻约11 k-Ω在入射波长405nm,功率密度为0.1 mW/cm2的测试条件下,我们得到了该肖特基结的最大光学响应为0.17A/W。(2)在Gr/Si单个肖特基结的基础上,我们制备了两个背对背的Gr/Si的肖特基结的MSM器件。在此基础上提出了以下工艺方法降低暗电流：1.通过将硅表面钝化抑制G-r与硅间的漏电流；2.通过改变硅窗口的形状使得石墨烯完全覆盖硅窗口；3.通过制备氟化石墨烯与石墨烯的平面又指结构的MSM器件。通过这三个工艺改进,在405nm光照,2V偏压条件下,MSM器件的光电响应为0.68A/W：而FG-Gr MSM结构光电响应率比提高了62%,达到1.1 A/W。