针对全球能源短缺、污染严重问题日益严重,节能环保将是未来全球亟待研究的重要课题。在照明领域,半导体照明即发光二极管,也叫LED (Light emitting diode),作为新型照明产品,有着节能、环保、寿命长等优点,正日益受到广泛关注。在诸多LED材料中,GaN基LED因其特有的禁带宽度而得到广泛应用。而ITO薄膜(Indium tin oxide)因其兼具导电和透光的特性被广泛的作为GaN基LED的电流扩展层。因此,本文以基于GaN基LED的ITO薄膜为研究对象,分析了空心阴极放电(HCD)法制备的ITO薄膜的特性并探讨了不同特性的ITO薄膜对GaN基LED的光电性能的影响。首先,本文研究了ITO薄膜的机理、应用及发展现状及不同的制备方法制备出的ITO薄膜的特性间的差异；分析了ITO薄膜各项性能的测试方法以及作为GaN基LED电流扩展层的要求：兼具导电、透光、良好的欧姆接触特性和具备与其它膜层有着良好的披覆性。其次,研究了HCD法(空心阴极放电法)及HCD设备的基本原理。本文采用HCD法制备出不同退火条件下的ITO薄膜,并对所有制备出的ITO薄膜的厚度及退火条件对光电性的影响进行总结分析,分析出制备1TO最合理的薄膜厚度及最佳退火条件。并且通过改变沉积速率及氧气、氩气流量的方式,总结出在不同条件下制备的ITO薄膜对GaN基LED光电性的影响结果。最后,为了验证所分析出的实验数据有效性和最优性,本文研究比较了HCD法制备的ITO薄膜与传统E-Beam法制备ITO薄膜的性能差异,并结合HCD法制备ITO薄膜的相关披覆性,进而得出使GaN基LED光电性能达到最佳的ITO薄膜。