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作为有机宽带隙半导体的代表,深蓝光发射材料是全彩OLED商业化的关键,然而面临着光稳定性差与色纯度低、高效率与溶液/印刷加工优势无法兼容等挑战。近年来,芴基的宽带隙光电性质、高荧光量子效率、易分子修饰与溶液加工等优势推动了OLED领域的商业化进程,但由于链间聚集、芴酮结构缺陷以及链弯曲/张力等因素显著削弱了蓝光的稳定性发射并形成了绿光带(g-band)。尽管借助主链梯形化、位阻功能/封端化、交联共聚化等策略尝试消除芴基9号位的自由基活性位点,并抑制主链骨架的缺陷发光、激子湮灭以及极化子输运等不稳定因素,芴基高稳定深蓝光发射材料的设计合成与构效关系探索依旧步履维艰。我们在四元设计理论与多位阻策略的基础上发展了以格芳烃位阻为代表的共价纳米技术,构筑了各类格基纳米聚合物,初步探究其格芳烃骨架对主链振动松弛运动行为与构象转变的限制作用以及对分子链间聚集行为的抑制特征,表现出良好的热稳定性与光稳定性。在此背景下,考虑到PODPF系列的分子吸斥协同(SMART)特征可实现构象平面化、强化链间有序堆积与结晶度,协同提高荧光量子效率与载流子迁移率,我们将PODPF结构单元引入格芳烃类,设计合成了一种新型的共轭格基纳米聚合物(PG-DPF)。该思路的提出可开拓格芳烃单元诸多优势包括蓝光宽带隙半导体特征、强有力的光/热稳定性和多位阻特征等,并且以此材料作为发光层有望实现无膜厚度依赖的OLED。首先,我们通过U型与一型合成子的格子化反应制备含有DPF结构单元的溴代格基纳米单体G-DPF(产率约为80%),再利用Yamamoto聚合反应将格单体转化为共轭型格基纳米聚合物链,其中主链由芴类单元组成,其数均分子量M_n为21785,多分散系数PDI为1.43,数均聚合度为8。在此基础上,通过热退火、放置以及光照等手段验证了PG-DPF发光稳定性(相比于其他聚芴类骨架)。可以发现,在高温(260 ~oC)下且时间长达8小时退火处理中,PG-DPF可展现出色的热稳定性(与顶尖的聚芴材料相似)。即使在平均湿度75%,平均温度14 ~oC的环境下放置15天,PG-DPF的蓝光发射依旧十分稳定(强度也未减弱),几乎无绿光带产生。相比于优异的热/湿度抗老化方面等优势,我们还发现PG-DPF在365 nm的紫外光照射下可加速产生低能发射带,表现出明显的光氧化行为。我们推测主链的格孔模式对氧气分子动力学行为起到明显的限域作用,从而在紫外光照射下推动了ORR(光还原反应)反应路径。最后我们将PG-DPF作为发光层材料尝试获得一批发光效率、亮度以及光谱稳定性不受薄膜厚度影响的PLED。该工作对宽带隙柔性印刷电子的材料设计、薄膜制备与器件加工工艺等方面具有重要的指导意义,也可为光催化等领域提供重要的模型化合物。