近年来随着集成电路工艺尺寸不断减小,工作频率逐渐增加,工作环境越来越复杂,使得集成电路电磁敏感度问题越来越严峻。绝缘体上硅（Silicon-On-Insulator,SOI）作为现在主流技术,其相对体硅工艺在电磁敏感度方面的研究也逐渐被关注。本文以SOI工艺静态随机存储器（Static Random-Access Memory,SRAM）芯片为研究对象,依据IEC 62132-1和IEC 62132-4测试标准对SRAM芯片的电磁敏感度进行了测试研究。主要研究内容有:1.室温下对SOI工艺SRAM芯片的电磁敏感度进行详细研究。其中包括对SRAM芯片的地址、数据、控制、电源和地引脚进行敏感度测试对比研究,以及同一功能引脚在不同工作状态下电磁敏感度的测试对比研究。首先从MOS管层面分析了电磁干扰引起的失效机理,然后依据测试标准设计符合测试要求的测试板,最后搭建敏感度测试平台完成敏感度测试研究。从测试结果可以看出读状态下抗扰能力最差的是地址引脚,抗扰能力较好的是数据引脚。写状态下抗扰能力最差的是数据引脚,抗扰能力较好的是地址引脚。而读使能控制引脚无论在读状态还是写状态下,其抗扰能力都相对较好。还可以看出同一引脚不同工作状态下的电磁敏感度存在明显差异。2.在DPI测试标准的基础上考虑了温度因素,对SOI工艺SRAM芯片电源和地引脚电磁敏感度的温度效应进行测试研究。首先从MOS管层面分析温度对电磁敏感度的影响,然后搭建可用于温度和电磁干扰同时作用于SRAM芯片的测试平台,最后完成测试与分析。从测试结果可以看出无论是SOI工艺SRAM芯片的电源引脚还是地引脚,敏感度阈值都会随着温度的升高而有所提升,且都是在100 MHz之后更加明显。3.对SOI工艺和体硅工艺SRAM芯片的电磁敏感度以及敏感度的温度效应进行对比研究。首先依据体硅工艺和SOI工艺的结构差异对两种工艺的电磁敏感度以及温度效应进行对比分析,然后对体硅工艺SRAM芯片的电磁敏感度及敏感度温度效应进行测试分析,最后对两种工艺的测试结果进行整理对比。通过对比两种工艺SRAM芯片各功能引脚的电磁敏感度,可以看出SOI工艺在敏感度方面具有一定优势。对两种工艺敏感度的温度效应进行对比分析可以发现,随着温度的升高SOI工艺SRAM芯片电源和地模块的敏感度阈值提升幅度大于体硅工艺SRAM芯片电源和地模块。