氮化铟作为第三代半导体材料中的一员,其电光性质都有着非常突出的优点,在制作光电子器件上存在着巨大的优势。而半导体激光器经过几十年的发展,现在正在向低功耗、低成本、高精度、高功率方向发展。本论文将重构等效啁啾技术应用在InN-DFB激光器上。首先通过介绍耦合模理论和传输矩阵法来引出重构等效啁啾技术,并分别对它们进行了理论推导。然后,本文设计了InN基激光器的结构模型,对其进行模式分析,并以此为基础对光栅进行了重构,设计出等效的?/4相移光栅。接着对该激光器进行仿真并与实际文献报道的实验结果进行对比,成功论证了将重构等效啁啾技术应用在InN-DFB激光器上的可行性。再对激光器进行优化,结果表明激光器腔长过大会降低激光器的出射功率并使得烧孔效应更加剧烈,有源层厚度过大过小都会降低激光器的出射功率。此外在光栅结构上提出三种方案,第一种等效?/8相移结构,其仿真结果表明虽然对激光器性能提升不大,但是可以一定程度上降低烧孔效应的影响。而另外两种方案(非对称相移结构和二次曝光技术)能够提升激光器性能,但是烧孔效应造成的问题更加严重。最后针对烧孔效应,提出了等效三相移结构、等效周期调制结构和一种新型光栅结构三种光栅方案,仿真结果发现这三者都可以有效的降低烧孔效应的影响,并且将其中的等效三相移和新型结构相互结合起来发现效果更佳。这为重构等效啁啾技术在InN-DFB激光器上的实际应用提供理论参考。