氮化铟相关论文
采用射频等离子辅助蒸发法,在玻璃衬底上制备InN薄膜.采用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对样品的结构和形貌进行表征,使......
采用射频等离子体分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石(Al2O3)衬底上外延生长了InN薄膜, 在生长之前对其进行不同时间的氮化处理。通过......
研究了不同的快速退火(RTA)温度对Mg掺杂的InN材料的影响。根据马赛克微晶模型，利用X射线衍射(XRD)技术，对样品的对称面和非对称面做......
通过介绍蓝宝石衬底上生长氮化铟(InN)单晶薄膜的发展历程,阐述了生长该单晶薄膜的几种方法及生长过程中存在的一些问题和改进措施......
在平板显示器中,每个像素上都有一个薄膜晶体管(TFT)对像素进行开关从而达到显示的作用。目前市场上TFT主要以非晶硅和低温多晶硅......
利用脉冲热分析技术(PulseTA)实现对热分析-质谱(TA-MS)联用系统中逸出气体质谱信号的定量,考察了多种实验参数如不同载气流速、温......
随着通信技术的发展进步,需要高速率、大容量并且灵活、节约的光源满足下一代系统需求。可调谐DFB-LD因其具有稳定的动态单模输出......
太赫兹光子能量(0.41-41.4me V)与材料分子的低频率振动以及转动能量相匹配,太赫兹波技术为物质的表征和操控提供了广阔的空间。本......
该论文旨在完善和发展贵金属和半导体纳米材料化学合成的新方法.在大量的文献调研基础之上,作者创造性地提出了几种纳米材料合成新......
本文利用基于密度泛函理论的第一原理总能计算方法，分别用US-PP(Ustralsoft-pseudopotential)势和PAW(projector augmented-wave)势......
美国每日科学网站报道指出，晶体是二极管的核心。这里所说的晶体并不是存在于石英中的自然形成的晶体，而是人工制造用以组成合金（例如......
本文利用第一原理方法研究了生长环境和表面极性对InN(0001)面的表面形态的影响.计算结果表明,在(0001)面,富In的环境下吸附两层In......
瑞典研究人员已公布了一项计划,准备制造能发射线性偏振光的量子点。林雪平大学的Anders Lundskog及其同事通过在基部已加长的微型......
采用非掺GaN为缓冲层,利用金属有机物气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上获得了晶体质量较好的InN单晶薄膜.用光学显微镜观察得到......
采用基于密度泛函理论(DFT)的总体能量平面波超软赝势法,对Mg,Zn,Cd掺杂InN的32原子超原胞体系进行了几何结构优化,从理论上给出了......
利用基于密度泛函理论的第一性原理计算了硫对InN（0001）面氧吸附及硫钝化对InN（0001）面性能的影响.结果表明：硫原子介入后,氧原子在InN（0......
由于1.55μm波段广泛应用于通信领域,为了探索不同生长温度对InN量子点的形貌影响,并且实现自组装InN量子点在1.55μm通信波段的发......
综述了Ⅲ族氮化物量子点材料及其器件应用研究现状.主要涉及了GaN,hN和InGaN量子点材料的形貌结构特征、实现工艺方法、外延生长机......
利用吸收光谱、光致发光谱、喇曼散射光谱和椭圆偏振光谱一系列光学手段，对采用金属有机物气相沉积法（MOCVD）制备的InN薄膜的光学性质......
本文总结了新型半导体InN薄膜晶格振动研究的现状,主要为Raman散射光谱及部分红外光谱的研究结果.重点内容为InN(包括六方纤锌矿结......
采用低温氮化铟(InN)缓冲层，利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)方法在蓝宝石衬底上获得了晶体质量较好的单晶InN外延膜．用光学......
Ⅲ族氮化物半导体材料（InN、GaN、AlN）由于能带结构的特殊性,使其在光电器件与微波等领域得到广泛应用。其中,研究和发展InN材料及器......
由于氮化铟在三族氮化物中具有较小的电子有效质量,这使得其在常温下具有很高的电子迁移率,高的饱和电子渡越速率和电子漂移速率。......
在近年来的半导体材料发展中,Ⅲ族氮化物在其中扮演了重要的角色。其中的GaN已经被广泛应用,而同族的InN的研究热潮正在掀起。InN......
<正> Ⅲ族氮化物半导体由于在光电子和微电子器件上的广阔应用前景,已经引起了人们极大的兴趣。氮化铟(InN)是低损耗高效电池、光......
随着氮化物半导体材料外延技术的进步和人们对生长机理认识的深入，人们在InN材料特性研究方面取得了一定的进展，特别是对InN本征带隙......
根据RCWT（严格耦合波理论）和等效介质理论,提出了在可见光波段的基于半导体材料氮化铟的亚波长光栅导模共振滤波器的结构设计和仿真......
提出一种基于重构等效啁啾（REC）技术的1 550 nm波段氮化铟分布反馈（DFB）半导体激光器。在传输矩阵法（TMM）的理论基础上，对该结构激光器的......
Ⅲ族氮化物以及它们的合金在光电子和微电子器件上的广阔的应用前景,引起了人们极大的关注。InN作为Ⅲ族氮化物中的一员,是能隙最......
Ⅲ族氮化物半导体材料因其禁带宽度随合金组分而可调,覆盖0.646.2 eV的全光谱范围,可广泛应用于太阳能电池、近红外紫外发光器件、......
在Ⅲ族氮化物半导体中,InN具有优异的电子输运性质,在高频厘米和毫米波器件应用上具有独特的优势,这些特性引起人们对InN的极大兴......
由于In N材料具有各向异性的特性,其电子迁移率沿c轴(Γ-A方向)和底面(Γ-M方向)不同,同时,其负微分电阻率在不同晶向上也不同。利......
以氮化镓及氮化铟为首的第三代半导体材料,由于具有高电子饱和速率、高电子迁移率、较小的有效电子质量、良好的导热性能以及稳定......
有关新型半导体薄膜材料的研究已经持续多年,它是新功能材料等研究领域中的热点课题之一。在Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物中,氮化铟（InN）是性......
窄带隙的半导体纳米材料在光电、生物,医学等众多领域都展现出了良好的应用前景,因此也在学术界和工业界吸引了大量的关注。氮化铟......
近二十年来，伴随着光电和通信技术的发展，氮化物半导体材料越来越受到人们的重视，目前基于GaN的照明技术已经相当成熟并实现了商业化，......
Ⅲ族氮化物(InN，GaN和AlN)半导体因其非常优异的特性而得到了广泛的关注。在最近十几年，InN因其具有非常高的电子迁移率和饱和漂移速......
太赫兹技术广阔的应用前景激发了世界各国科研人员对太赫兹波振荡辐射源和探测器的开发研究。耿氏二极管被认为是极具太赫兹应用潜......
Ⅲ族氮化物材料体系包括氮化镓(GaN)、氮化铝(A1N)、氮化铟(InN)及其三元和四元合金。近年来,InN的禁带宽度逐渐被证实为0.7eV,于......
借助计算机,通过理论计算、数值模拟对材料的结构和性质进行预测与设计,以最大限度地减少因盲目或错误实验造成的浪费,是当今材料......
由于InN材料具有各向异性的特性,其电子迁移率沿c轴(Γ-A方向)和底面(Γ-M方向)不同,同时,其负微分电阻率在不同晶向上也不同。利......
