论文部分内容阅读
聚噻吩的电化学合成及P3HT/PCBM体异质结光伏器件的制备
【机 构】
：
北京化工大学
【出 处】
：
北京化工大学
【发表日期】
：
2014年期
其他文献
本文系统地研究电场辅助阳极连接的机理。在温度513K-713K区间，电压500V条件下，阳极连接了可阀（Kovar）合金/铝膜与玻璃片。对该试验提供的试样和数据，用扫描电镜，电子探针和透射电
该研究课题以氧化烟锡靶和氧化锌铝靶为靶材,采用射频磁控溅射工艺在纯氩气氛中沉积ITO和ZAO薄膜,靶材中SnO和AlO的掺杂比例分别为10﹪和3﹪,成膜过程中研究了各工艺参数对其结构
硅材料是现代大规模集成电路的基础，是微电子学领域中最重要且应用最广泛的一种材料。但由于硅属于窄禁带、间接带隙材料，故其发光性能差、发光效率低，无法应用于光电器件。因此
本文采用固相烧结法，即通过将钨酸和氧化钨粉末混合，球磨，干燥，研磨，过筛，压片，烧结等工艺流程，成功制得了钨酸锌晶须，用碳酸锂和五氧化二铌两种化合物通过上述同样的工艺也成功地制备