基于有机聚合物基复合薄膜的忆阻特性研究

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目前,基于互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的传统存储技术逐渐接近其物理极限,计算机存储墙问题日益严重,这严重阻碍着计算机技术的进步和发展。忆阻器是除电阻、电容、电感之外的第四种电路元件,可同时应用于信息存储和逻辑运算,是新型非挥发存储技术的有力竞争者,也是缓解甚至解决计算机存储墙问题的相当有前景的一种新技术。有机聚合物基忆阻器材料具很多优点,如:种类多,分子可设计,柔性等。有机聚合物基复合材料可通过利用基体材料与客体材料间简单而丰富的调制关系控制存储特性。有机聚合物基复合薄膜具有工艺简单、便于通
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