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阻变存储器(RRAM)凭借其集成度高,写入擦除快,功耗低,和当今半导体工艺完全兼容等特点,成为最有希望替代Flash存储器的新一代非挥发性存储器。BiFeO_3基阻变存储器具有性能稳定,读写操作电压低等特点,是非常有潜力的阻变存储之一。然而,到目前为止,BiFeO_3阻变存存储器大多用脉冲激光沉积(PLD),溶胶凝胶法(Sol-gel)等工艺制备,利用磁控溅射法制备的相对很少。本文通过射频磁控溅射法制备了BiFeO_3阻变器件,并通过X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AF