铁酸铋薄膜相关论文
太赫兹调制器是太赫兹通信系统的核心组成部分,随着太赫兹通信技术的飞速发展,小型化集成化太赫兹调制器的发展越来越受到关注。作......
阻变存储器(RRAM)因具有低功耗、高密度、结构简单且易与CMOS工艺兼容等特点成为了下一代最具潜力的非挥发性存储器之一。阻变存储......
多铁材料铁酸铋(BiFeO_3)具有明显的双折射色散性质,薄膜异质结构的低维复合特性使其光物理性质更加丰富,因此研究BiFeO_3薄膜及其......
多铁材料是凝聚态物理和材料科学领域一个重要的研究课题。在信息存储、自旋电子设备、磁-光-电耦合器件和铁电光伏效应等领域，多铁......
铁电薄膜是一类重要的功能性薄膜材料,具有优越的铁电、热释电、压电和电光效应,在微电子和光电子领域有着广泛的应用前景。多铁性......
铁酸铋（BiFeO3）是目前发现在室温下同时具有铁电有序和G型反铁磁有序特性的单相多铁性材料，可用于信息存储、自旋电子器件及传感器等......
铁酸铋薄膜是一种重要的多铁薄膜,在光伏储能、传感器、信息存储器等方面有着广阔的的应用前景。不同的制备工艺及元素掺杂均会影......
随着当代科技的进步以及器件的多样化发展，对同时具备多种功能的材料的需求越来越迫切。多铁性材料作为同时具有两种及两种以上铁性......
铁酸铋是少数几种室温下同时具有铁电、铁磁的新型的多铁性材料(Multiferroics)，它是三方扭曲的钙钛矿结构，其铁电居里温度和磁性相......
铁酸铋作为一种典型地在室温下同时具有铁电性和铁磁性的单相多铁材料，其在理论上具有较高的极化强度，因而成为多铁材料中的研究重点......
制备态铁电薄膜中的电畴在无外加电场情况下是随机分布的。当施加外电场时,薄膜发生极化,电畴趋向定向排列。施加电场时薄膜必须有......
铁电磁性材料是一种因为结构参数有序而导致铁电性和磁性共存，并且具有磁电耦合性质的材料。近年来，一种新型的铁电磁材料铁酸铋引起......
BiFeO_3是少数的单相多铁材料之一，具有扭曲的钙钛矿结构(属于R3c点群)，由立方结构沿(111)方向拉伸而形成的一种偏离理想钙钛矿结构......
多铁性材料是指材料由于结构有序而同时具有铁电性（反铁电性）、铁磁性（反铁磁性）或铁弹性的两者或两者以上性能的材料。这种磁和电的相......
多铁材料由于同时具有可逆转的电有序和电子自旋有序而受到研究者的广泛关注。它能很好的调和现在以半导体器件为主的信息工业社会......
在过去的几十年里，由于自发极化可达~100μC/cm2，铁电性和反铁磁性在室温下的共存以及远高于室温的铁电相变温度和反铁磁奈尔温度，BiF......
BiFeO_3(BFO)薄膜作为一种室温下同时具有铁电性能、铁磁性能和阻变性能的材料,在新型非易失性存储器件具有广阔的应用前景。然而......
阻变存储器(RRAM)凭借其集成度高,写入擦除快,功耗低,和当今半导体工艺完全兼容等特点,成为最有希望替代Flash存储器的新一代非挥......
目前,Flash闪存是当今最流行的非易失性存储器。但现在Flash技术已经开始面临各种瓶颈,比如操作速度慢、存储密度低、操作电压高、......
铁酸铋在室温下具有多铁性,即同时含有铁电性和反铁磁性。铁酸铋的微观结构是钙钛矿型对称三方晶系结构,属于R3c点群。由于铁酸铋(......
作为一种同时具有室温铁电和反铁磁性的多铁性材料,铁酸铋（BiFeO3）近年来得到了广泛的关注,在自旋电子学、铁电/磁性数据存储系统、......
采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法成功地制备了铁酸铋薄膜(BiFeO3)、掺锰铁酸铋薄膜(BiFe0.95Mn0.05O3),采用磁控溅射法(Magnetron Sputte......
磁电多铁材料是一类同时具有自发极化和磁化的材料，其电序和磁序的耦合还能产生新的效应——磁电耦合效应，为新型功能材料器件的设计......
磁电材料指的是在一定的温度范围内既表现出磁有序，又表现出铁电有序的材料。BiFeO3在室温下同时表现出铁电性和反铁磁性。常温下Bi......
近年来,铁电磁材料引起人们越来越多的关注,它是一种具有铁电有序和磁有序的材料,在铁电和磁性器件方面有极其重要的应用前景。BiF......
报道了铁酸铋薄膜样品在80K～300K温度范围直流电学输运性质的研究结果.利用同一前驱体不同老化时间,用化学溶液沉积法在钛酸锶衬底......
采用射频磁控溅射的方法在SrRuO 3/SrTiO 3(SRO/STO)衬底上制备了外延Mn掺杂的BiFeO 3(BFMO)薄膜,并以Pt/SRO为复合上电极构建了对......
采用短波紫外光（UV）对十八烷基三氯硅烷（OTS）自组装单分子层（SAMs）进行刻蚀,利用化学液相法在OTS-SAMs模板表面制备出铁酸铋（BiFeO3）图案化......
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铁酸铋是目前唯一在室温下同时具有铁电性和反铁磁性的单相多铁性材料，因其具有丰富的物理性质以及广阔的应用前景备受关注。虽然理......
利用偏轴射频磁控溅射法,在（001）SrTiO3（STO）单晶基片上制备了Pt/BiFeO3/La0.5Sr0.5CoO3/STO（Pt/BFO/LSCO/STO）异质结电容器。研究了BiFe......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
铁酸铋在室温下既可表现出铁电性又可表现出反铁磁性,在器件应用上有非常大的应用前景,因此被认为是最有前途的多铁性化合物之一。......
报道了铁酸铋薄膜样品在80K~300K温度范围直流电学输运性质的研究结果.利用同一前驱体不同老化时间,用化学溶液沉积法在钛酸锶衬底......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
利用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si基体上制备了BiFeO3薄膜,构架了Pt/BiFeO3/Pt电容器。对不同退火温度和保温时间制备薄膜的微观形......
铁酸铋（BFO）多铁性材料因具有丰富的物理性能,以及其在存储器、传感器、电容器、光伏器件等方面的广阔应用前景,在过去几十年一直受......
采用分子自组装技术在玻璃基片表面制备了十八烷基三氯硅烷自组装单层膜（OTS-SAMs），并在功能化的基板表面诱导生成铁酸铋（BiFeO3）薄膜，采......
应用溶胶-凝胶法在Pt／Ti／SiO2／Si（001）基片上制备了BiFeO3薄膜，构架了Pt／BiFeO3／Pt电容器。采用X射线衍射仪和铁电测试仪研究了Pt／BiFeO3／Pt......
采用液相自组装法成功制备出铁酸铋（BiFeO3）薄膜,并采用XRD、SEM和VSM等测试方法对BiFeO3薄膜进行了表征。研究了功能化的自组装单分......
采用磁控溅射法制备SrRuO3（SRO）薄膜、脉冲激光沉积法制备BiFeO3（BFO）,构架了Pt/SRO/BFO/SRO/SrTiO3（001）异质结,采用X射线衍射仪（XRD）、铁......
铁酸铋（BiFeO3，BFO）是目前发现的唯一一种在室温下同时拥有铁电性与反铁磁性的多铁材料，其多铁性在存储器，调制器，传感器、集成光学以及......
采用溶胶-凝胶法在SiO2/Si基底上制备纯相BiFeO3多铁性薄膜.利用X射线衍射仪对不同退火温度的薄膜样品进行晶体结构的测定和分析,......
薄膜电子器件为满足高性能电子信息显示器,正在经历着快速的增长,同时也扩大到如柔性电子、可穿戴电子、一次性电子、电子纸和电子......
