随着研究者们对钙钛矿光电特性研究的不断深入,钙钛矿已经成为光伏器件,光电检测器件等领域内最具有潜力的新型半导体材料之一。钙钛矿单晶的研究基础,其中包括多种晶体合成方法,丰富的晶体表征手段以及性能优越的单晶器件等等。常用的液相旋涂方法制备钙钛矿多晶薄膜,在稳定性,基础光电性能上均有一定的不足。与此相反,钙钛矿单晶拥有高的光电转化效率和更出色的稳定性。同时,现在对钙钛矿晶体生长条件或制备方法的调节,通常使用预制的模板或有机的大分子骨架进行生长诱导,得到性能和形貌可控的钙钛矿单晶。本文采用了不同于以往的结晶策略对钙钛矿单晶的生长进行调控,实现了形貌可控的单晶钙钛矿生长制备及性能研究。主要工作如下:（1）利用空间限域的钙钛矿单晶生长方法,在逆温结晶的条件下,采用疏水型PET衬底与亲水型的玻璃衬底,调节前驱体溶液中溶质的非对称分布与结晶动力学过程,得到了形貌可控的的塔形钙钛矿单晶。（2）通过对塔形的钙钛矿单晶材料光电性能的表征,其显示出优异的光电特性。基于此单晶制备性能出色的光电探测器,其响应率高达9.4 A/W,同时探测率高达2.1×1011 Jones。同时结合PET柔性衬底进行了单晶柔性器件的性能测试,得到了在弯曲性能优异的单晶光电探测器。（3）利用混合溶液中不同组分在结晶中耗尽时机的不同,原位生长钙钛矿单晶异质结。得到了MA（BA）2Pb2Br7/MAPb Br3垂直结构的单晶异质结。随后利用不同的溶液浓度和溶质比例对钙钛矿单晶异质结的生长进行了进一步的讨论和探索。