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最近10年的研究发现,带隙缺陷态是影响纳米结构半导体光电化学性能的主要因素。然而,其影响机制尚不清晰。本文通过研究二氧化钛纳米结构薄膜电极的缺陷态分布以及载流子动力学行为,进而揭示带隙缺陷态对光电催化水分解制氢活性的影响,并基于此指导制备高活性纳米结构二氧化钛光电极薄膜。本文借助场发射扫描电子显微镜(FESEM)和X射线粉末衍射(XRD)技术对样品的纳米结构和形态进行研究;借助电化学交流阻抗谱(EIS)研究缺陷态对半导体载流子传输动力学行为的影响;借助循环伏安法(CV)以及斩光时间电流(I-t)曲线