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ZnO，作为一种直接带隙宽禁带材料，是继 GaN 之后光电研究领域又一热门研究课题。其光电特性受缺陷的影响较小，在如今的信息时代有着重要的作用。它可用于制作发光显示器件、高频滤波器、发光二极管、激光器、高速光开关等器件， 在民用及军事领域都有着重要的用途。目前，对 ZnO 的研究大多集中于薄膜材料的生长方面，其生长方法大致包括以下几种：分子束外延（MBE）、金属有机化学气相沉积（MOCVD）、脉