氧化锌薄膜相关论文
为了赋予可降解生物医用镁合金（AZ31B）具有抗菌、减缓腐蚀速度的功能,本文利用飞秒激光对镁合金表面进行微纳加工处理,处理后的镁合......
采用脉冲激光沉积(PLD)技术，在(110)和(100)织构金刚石膜上成功制备出高度c－轴取向的ZnO薄膜，然后在纯氮气氛条件下对ZnO薄膜进行退火......
氧化锌(ZnO)、二氧化钛(TiO2)作为两种重要的功能材料,具有良好的光学和电学性能,在光催化、太阳能电池和传感器等方面有着重要的......
在很多研究中，退火是提高ZnO薄膜晶体质量和改善其发光性能的有效方法。研究了脉冲激光沉积法（PLD）方法制备的ZnO薄膜退火后的发光特......
利用真空蒸镀法在光滑的玻璃表面直接制备一层ZnO多晶薄膜,与喷射热分解法制备的ZnO薄膜相比,允许的线宽更窄更细。经Pd溶液活化后......
随着工业发展和人口的急剧增加,全球环境污染以及能源供应问题亟待解决。人们逐渐意识到环境保护和洁净水资源短缺的问题,降解水中......
一天，钢铁国王主持召开了一次钢铁防锈高手研讨会，重点讨论怎样保护钢铁不生锈，参加会议的人员有各界防锈高手。钢铁国王说：“诸位，现在......
用水热法以醋酸锌和氨水为原料制备花状氧化锌薄膜.SEM显示样品为带花蕾的多瓣型形貌,XRD测试样品为高纯度的六角纤锌矿结构.研究......
采用直流磁控溅射工艺,使用掺铝氧化锌(AZO)陶瓷靶,在玻璃基底上制备出具有c轴择优取向的AZO透明导电薄膜。运用共焦显微拉曼光谱......
氧化锌薄膜材料由于具有高电导率、良好的光学透过率、原料储存丰富、成本低廉的特点,被认为是最具有潜力的透明导电薄膜.特别是其......
氧化锌(ZnO)作为非常重要的无机化合物,一直以来扮演着非常重要的角色。近几十年来,在当今和未来的纳米产业中,对ZnO潜在应用的研......
氧化锌(Zinc Oxide, ZnO)室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能约为60meV,是一种直接带隙宽禁带半导体材料。ZnO薄膜因具有性能稳定,......
ZnO是一种直接宽禁带半导体材料，室温禁带宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV。因此可以实现室温下的高效率激子发射以及紫外发光，使得......
采用氧化锌压电薄膜制作的微悬臂梁,既可以作为微型执行器,也可以作为微型传感器。采用氧化锌纳米棒制作的纳米谐振器,以其超小的......
ZnO作为一种新型的宽禁带半导体材料有着诸多光电方面的优异特性，室温下的禁带宽度为3.36eV，激子束缚能高达60meV，远远高于室温热能26......
ZnO是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,它具有良好的化学稳定性和热学稳定性。在室温下,它的禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达6......
面对全球能源短缺、环境污染等难题,太阳光伏发电是其有效解决途径之一,因此研究低碳、高效太阳电池迫在眉睫。本课题根据太阳电池......
随着现代电子设备信息处理量的扩大,通信载波频率必须向更高频的频率区移动,声表面波(SAW)滤波器是现代无线移动通信系统的关键部......
氧化锌是继GaN后的一种自激活Ⅱ一Ⅵ族直接型宽禁带(3.37eV)半导体，激子结合能高达60meV(GaN：21meV)，产生受激发射的波长比GaN的更短，......
本工作采用螺旋波等离子体辅助溅射沉积系统应用非平衡生长技术在Al2O3(001)衬底制备了N-Al共掺的p型ZnO薄膜。分析了退火对ZnO薄......
ZnO是一种重要的直接宽带隙半导体材料。激子束缚能高达60meV,比室温热离化能26meV高很多,激子不易发生热离化,因而易于实现高效率......
氧化锌(ZnO)是一种Ⅱ—Ⅵ族直接、宽禁带化合物半导体材料，具有优越的光电性质。室温下，ZnO具有高的激子束缚能(60 meV)，N型导电性易......
本论文首先用磁控溅射制备了ZnO薄膜,并用该薄膜制备了ZnO-TFT,为了提升器件的性能,论文从退火温度和薄膜厚度等方面对ZnO-TFT进行......
近年来,随着光纤通信技术的不断发展,铒(Er)掺杂的半导体材料引起了研究者的极大兴趣。这是因为,Er离子在1540nm处有很好的的荧光......
氧化锌(ZnO)是一种直接带隙宽禁带(3.37eV)Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有较大的激子束缚能(60meV),理论上可以在室温下实现紫外光......
宽禁带ZnO半导体为直接带隙材料。其具有六方纤锌矿结构，较高的激子束缚能（60meV），室温下带隙宽度为3．37eV。高质量的外延ZnO薄膜的制备......
ZnO是一种非常重要的多功能直接带隙型宽禁带半导体材料。其禁带宽度为3.37 eV,激子束缚能高达60 meV。高的激子束缚能使得激子可......
氧化锌(ZnO)作为一种新型的直接宽禁带氧化物半导体材料,一直受到广泛关注。ZnO具有室温下3.37eV的禁带宽度,60meV的激子束缚能,优......
稀磁半导体由于可以同时利用电子的自旋和电荷属性而引起了人们的关注。2000年，Dielt等人通过理论计算预言了Mn掺杂p型ZnO中室温铁......
金属纳米颗粒独特的局域表面等离激元共振特性，在生物医学、材料学、光电器件方面具有良好的应用前景，成为近年来人们研究的热点。虽......
氧化锌是一种宽禁带n型半导体材料,激子束缚能比较大,具有良好的导电性能和优良的光电特性。研究发现,掺杂可以进一步提高氧化锌材......
论文研究了在自行研制的常压MOCVD系统上进行了ZnO薄膜的生长和性能分析。论文主要有两大块内容:1、用X射线双晶衍射仪对蓝宝石衬......
本文采用自制MOCVD系统对Al2O3(0001)及Si(111)衬底上ZnO薄膜材料的生长进行了研究，并研究了Al2O3(0001)衬底上ZnO薄膜经HCl、H2SO4......
氧化锌(ZnO)是一种重要的电子信息功能材料。化学性质稳定,原料来源丰富,对环境友好,300 K下大的带隙宽度等优点使得ZnO在发光装置......
氧化锌(Zno)是Ⅱ-Ⅵ族组成的金属氧化物半导体,由于其相对宽的直接带隙(-3.37eV)和较高的激子束缚能(60meV),使得其具有在室温下发......
ZnO薄膜是一种具有优良的压电、光电、气敏、压敏等性质的Ⅱ-Ⅵ化合物半导体材料,在透明电极、表面声波器件、紫外光探测器、压电......
学位
本文在综述ZnO薄膜的结构特性、制备方法和光电性能等现状的基础上,采用射频磁控溅射技术制备了纯和Sb2O3掺杂的ZnO薄膜,采用SEM、......
研究表明，H掺杂或Cu掺杂可以显著改变ZnO薄膜的光、电或磁性能，而H、Cu共掺杂ZnO薄膜尽管还有没有广泛的研究，但已有的研究已经表明了......
本文在概述了ZAO(掺铝氧化锌)薄膜的性能、制备技术、应用前景和国内外研究发展概况的基础上，以二水合乙酸锌(Zn(CHCOO)......
多孔硅具有制备工艺简单、发光效率高、后处理与传统硅平面工艺兼容等优点，是目前最好的硅发光材料，在各种硅光电子器件和光电子集成......
氧化锌(ZnO)是一种具有六方纤锌矿晶体结构的多功能金属氧化物材料,在光电、压电、热电、铁电、铁磁等方面都具有优异的性能。60me......
学位
本论文采用射频磁控技术在Si(111)和Al_2O_3基片上在不同的工作参数下制备了Zn_(1-x)Fe_xO薄膜,研究了工作参数对Zn_(1-x)Fe_xO薄......
ZnO是直接宽禁带半导体材料(禁带宽度为3.37 eV)，在室温下有很高的激子束缚能(60 meV)，外延生长温度低，抗辐射能力强，在短波发光二极管......
ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体，它具有很大的禁带宽度(3.37eV)和室温激子束缚能(60meV)，显示出优良的压电性、催化性能和独特的光学......
ZnO是一种N型宽带直接带隙半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,有优异的压电、光电、压敏等特性,且电导率和透过率高,具有和ITO相......
ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族的直接带隙、宽禁带半导体材料,具有六方纤锌矿结构。由于ZnO具有优异的压电、光电、气敏、压敏等特性,近年来受......
