在过去的五十多年间,微电子技术尤其是集成电路领域的高速发展对电路性能的要求日益增长。作为集成电路制造中的核心技术,光刻工艺的飞速发展成功地使集成电路尺寸从微米级进入了纳米级,这使得集成电路的规模和复杂程度越来越高。近几年间,半导体主流制造技术从90nm,65nm转移到40nm、28nm及以下,这意味着更小的特征尺寸(CD, critical dimension)需要更先进的制造工艺以及更精确的制造流程,来提高集成电路的性能,降低功耗,此时,在晶圆表面制造出来的图形会发生明显的畸变现象,随即产生光学邻近效应(OPE, Optical Proximity Effect),从而影响集成电路的制造成品率。为应对这一挑战,在工业领域提出了分辨率增强技术(RET, Resolution Enhancement Technology),以减少光学邻近效应对集成电路制造的影响,使在现有生产环境下,能够尽可能制造出特征尺寸更小的集成电路来。不管应用何种技术,均需要精确预测出在光刻条件下,通过对掩模图形进行照射呈现在晶圆表面的图形。本文在深入探讨集成电路制造流程基础上,提出了基于部分相干理论的光刻建模的多边形处理算法,将掩模上的多边形图案进行切分优化,将其划分成若干矩形或三角形。并在Linux环境下应用C语言设计出一个完整的光刻仿真系统,在此系统中,设计的具体光学参数为：光源波长为193nm,数值孔径在0.3-0.8之间,部分相干系数可调范围为0.2-0.8之间,可一次性仿真1μm×1μm到10μm×10μm范围内的45nm-0.18μm工艺的复杂版图。