磷酸系刻蚀液对Cu/Mo薄膜刻蚀性能的基础研究

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面板制造的阵列工序(Array)在设计过程中,栅极(Gate)层电路和源漏(SD)极层电路根据产品使用要求进行电极材料的选择,这个过程不仅会对电极材料性能如电阻率、电子迁移率等因素进行考量,而且还需在原料成本及制造工艺技术难易程度上进行评价。随着平板显示大尺寸化、高解析度以及驱动频率高速化的趋势和要求,金属铜导线将逐渐取代铝导线成为薄膜晶体管制备过程中电极材料,由于金属铜与下层基板玻璃粘结性差,工艺上一般选择金属钼作为过渡膜层。当前,铜导线主要采用双氧水系刻蚀液进行处理,而双氧水的不稳定及易爆性使其在实际应用过程中存在诸多问题。本文研究了磷酸系刻蚀液对铜的刻蚀性能,磷酸系刻蚀液的主要组成为磷酸、硝酸及醋酸。工作中首先研究了金属铜在单酸、二元混合酸及三元混合酸刻蚀液中的溶出情况,解析了磷酸系刻蚀液不同组份对铜溶出的影响情况。结果发现,金属铜的腐蚀需氧化性及酸性共同作用下才能发生,其中硝酸起主导作用。XPS的分析结果表明,铜在磷酸系刻蚀液的溶出过程中,硝酸主要起氧化作用,将铜氧化为Cu2O直至CuO,CuO在氢离子的作用下发生溶解反应,而醋酸加入有利于硝酸对铜的氧化,同时促进CuO的溶解过程。对金属钼在磷酸三元混合酸刻蚀液的溶出行为进行了研究,分析了刻蚀液的各组份对钼溶出的影响情况。结果表明,金属钼的溶出亦需要磷酸和硝酸的共同作用才能发生,得出了硝酸是影响金属钼腐蚀的最大因素以及高浓度醋酸有利于钼的腐蚀溶出这一结论。在铜、钼单金属的研究基础上,研究了铜/钼薄膜在磷酸刻蚀液的溶出行为。金属铜/钼在刻蚀液中存在电化学电偶腐蚀,在该原电池体系中,钼为阴极,金属铜成为阳极而溶出速率变快。通过时间-电流(i-t)法探究了铜/钼在三元混合酸中各组份浓度的变化对金属间电偶电流的影响。通过SEM对不同浓度比例刻蚀液腐蚀Cu/Mo玻璃样片进行表征,最后经大量的优化实验,得到了较优的刻蚀液配方,优化后刻蚀液配方组份如下:磷酸3045%,硝酸1%3%,醋酸30%40%的范围值内,得到了锥度角满足生产工艺要求。
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