本论文研究在束流密度为20μA/cm2的离子束溅射下，Si(110)表面形貌随温度和离子能量的变化；研究离子束溅射下，Si(100)表面形貌随束流密度的变化；用ES扩散解释了在高温下，纳米点形状随离子能量变化的原因，并且用动力学模型模拟计算了对应不同离子能量的纳米点的形状，其变化趋势与实验结果一致，证明在小束流密度下，ES扩散是不可忽略的，实验结果显示，通常认为适用于无定型态材料和半导体材料的B-H模型，并不能适用于所有束流密度。只有在大束流密度下，BH模型才能解释Si(100)表面形貌的变化，这是由于在大密度的离子束溅射下，Si(100)表面的晶体结构被破坏，变为无定型态。通过模拟计算，我们发现在大束流密度下，必须将再沉积(re-deposition)过程加入考虑。在加入抑制项后，模拟结果与实验结果符合。