随着现代电子、通讯、光学等产业的快速发展,世界对半导体、光学晶体等材料的需求越来越大。目前,上述材料获得高精度表面的方式主要通过游离磨粒抛光来完成,这种抛光方法抛光液和磨粒会在离心力的作用下快速离开加工区域,导致其分布不均匀,抛光效率低。为了克服传统抛光方法的缺点与不足,本文提出了一种基于介电泳效应的抛光方法。本文对介电泳抛光的加工原理进行研究,并以静电场基本理论为基础,计算理想球形磨粒的电偶极矩,进而推导出理想球形磨粒在非均匀电场中受到的介电泳力表达式,为后续介电泳抛光的影响因素研究奠定了基础。为了对介电泳抛光进行实验研究,本文设计了用于介电泳抛光的实验装置,实验装置包括产生介电泳效应的非均匀电场电源和加工工件的抛光装置两部分。电源可以输出频率0-50Hz,幅值0-3000V的方波电压,与抛光装置中的电极相连,实现介电泳抛光。利用COMSOL软件对不同电极形状的非均匀电场进行仿真,得到加工区域电场强度平方的梯度分布,用它可以反映在不同电极形状产生的非均匀电场中磨粒受到的介电泳力。然后对不同电极形状磨粒受到的介电泳力进行分析,发现对3英寸硅片而言,使用直径60mm圆形电极形状抛光效果最好,验证实验结果与仿真结果一致。对电压、频率、加工载荷和抛光盘转速四个参数进行研究,得到最好的实验条件为:频率40Hz,电压1500V,加工载荷4000g,抛光盘转速60r/min。通过介电泳抛光和传统抛光的对比实验,得到介电泳抛光加工的工件表面粗糙度减小比传统抛光方法快,去除率比传统抛光高,说明介电泳抛光优于传统抛光。