【摘 要】
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该论文在单电子理论基础上用C语言自主编制单电子系统模拟程序,可分别模拟单岛、多岛单电子系统,金属纳米粒子、半导体纳米粒子所构成的单电子系统伏安特性,并用单电子理论对
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该论文在单电子理论基础上用C语言自主编制单电子系统模拟程序,可分别模拟单岛、多岛单电子系统,金属纳米粒子、半导体纳米粒子所构成的单电子系统伏安特性,并用单电子理论对结果进行分析.模拟所采用的方法为Monte Carlo法.模拟所采用的单电子理论有两种:半经典理论和考虑量子效应的单电子理论.半经典理论的前提是忽略电子隧穿过程中的热耗散,电子的隧穿时间可以忽略不计,不考虑电子在库仑岛上的能级分立,这对于金属基的单电子系统或特征尺寸大于10纳米的单电子器件一般是适合的,而当单电子器件为非金属基或特征尺寸小于10纳米时,会在岛区产生能级分立效应,半经典理论就不适用了,这时就必须考虑量子尺寸效应.
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