库仑阻塞相关论文
拓扑绝缘体和拓扑超导体是拓扑材料领域发展以来广受关注的两类体系。利用拓扑绝缘体中的无耗散拓扑边界态可以构建极低功耗的器件......
该论文在单电子理论基础上用C语言自主编制单电子系统模拟程序,可分别模拟单岛、多岛单电子系统,金属纳米粒子、半导体纳米粒子所......
该论文基于扫描探针显微术研究了金纳米粒子和铁电薄膜的电学性质;采用溶剂挥发法和Langmuir-Blodgett法制备二维有序金纳米颗粒阵......
纳米电子学是纳米科技的重要科学基础，将成为21世纪信息时代的科学核心。纳米电子学的重要研究内容包括纳米结构的加工制造技术和具......
本文在极低温(0.260K)下对表面声波单电子器件进行了研究，在国内观察到表面声波搬运电子形成的声电电流。在给分裂栅加适当的负电压......
近年来，磁电阻效应因其重要的理论价值和广泛的商业应用前景而成为凝聚态物理和材料科学的研究热点。其中高自旋极化氧化物因其具有......
按照摩尔定律的发展，我们目前的先进技术特征尺寸是0.25微米，和0.18纳米乃至正渐渐投入生产的0.13微米技术．据ITRS(国际半导体技术发......
SET/CMOS作为一种单电子晶体管与纳米级CMOS混合结构的新兴纳米电子器件,不仅实现两者优势互补,而且其突出的功能特性极大影响着电......
在淀积有纳米间隙栅电极、源电极和漏电极的衬底上生长量子点 ,制作出多岛结构的单电子晶体管 .在 77K温度下对源漏特性进行了测试......
介绍了玻璃中的半导体量子点 .对玻璃中半导体量子点的生长过程、量子点的电子态 ,量子尺寸效应、库仑阻塞效应及介电效应 ,做了比......
通过研究单电子晶体管在电路中的静电能量的变化 ,得到了它的阻塞、导通情况与其两端偏压和控制栅压之间的关系 ,从而给出了它的通......
基于介观电路中电荷应是量子化的这一基本事实，给出了介观电感耦合电路的量子理论和库仑阻塞条件，并讨论了该介观电感耦合电路的量子......
利用第一原理密度泛函理论计算组装C60形成能和电子结构,用半经典隧穿理论研究了串联C60的电子输运特性.结果显示:六边形对六边形......
传统的共振隧穿二极管的多峰值负微分电阻器件的峰值数目受到限制 ,由单电子器件和传统的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)......
在淀积有纳米间隙栅电极、源电极和漏电极的衬底上生长量子点,制作出多岛结构的单电子晶体管.在77 K温度下对源漏特性进行了测试,......
本文介绍了纳米科技的历史、现状和发展趋势；综述了纳米物理学的若干基本问题；讨论了小尺寸情况下的量子效应和形变超晶格的光电特征......
文章介绍了单电子晶体管的产生背景、工作原理、最新的制备工艺、计算机数值模拟和存在的问题,并对其应用前景进行了展望.......
随着纳米加工技术的发展,纳米结构器件必将成为将来的集成电路的基础.本文介绍了几种用电子束光刻、反应离子刻蚀方法制备硅量子线......
该文基于介观电路中电荷应是量子化的这一事实,应用正则量子化方法给出了介观耗散电容耦合电路的量子化方法和库仑阻塞条件.研究结......
根据介观电路中电荷是量子化的事实,从无耗散互感电路的经典运动方程出发,利用经典拉格朗日正则变换以及正则线性变换,给出了介观......
介绍了用电子束光刻、反应离子刻蚀方法制备硅量子线和用电子束光刻、电子束蒸发以及剥离技术制备纳米金属栅的工艺方法;用这种工......
金属纳米晶存储器件具有低功耗、高速读写特性及较高的可靠性，因此近年来在非易失存储器研究领域备受关注。对比分析讨论了量子限制......
单电子输运器件是指能在基本电荷层次上控制电子输运的器件．器件在周期时钟信号的作用下，每个周期有n个（通常是一个）电子从源端搬运到......
基于介观电路的电荷是量子化的这一事实熏应用正则量子化方案给出介观RLC电路的量子化方法和库仑阻塞条件.研究结果表明押存在耗散......
使用双杂质的Anderson模型的哈密顿量，从理论上研究了一个嵌入并联耦合量子点（DQD）的介观电路在低温情况下的非平衡电子输运性质，并用......
提出了一种新颖的基于非线性受控电压源的单电子晶体管宏模型．该宏模型通过受栅压和温度控制的非线性受控电压源使温度效应和栅控效......
单有机材料PAR的薄膜在三明治结构中,在电场作用下有电双稳性质.利用这一性质,在STM针尖强电场作用下, PAR可形成纳米尺寸的导电的......
在正统理论的基础上，使用主方程法建立了金属结单电子晶体管的器件模型和算法流程，将电容、电阻和温度等参数代入器件模型得到的I-V......
单电子晶体管(SET)作为灵敏静电计的灵敏度受到噪声的限制,其中散粒噪声(shot noise)是本征噪声,决定着单电子晶体管灵敏度的极限.......
采用溶胶一凝胶法制备了纳米La0.67Sr0.33MnO3样品，通过XRD、TEM及PPMS（物理性质测量系统）研究了样品的结构、磁性和电输运特性。结果......
采用等离子体氧化和逐层(layer-by-layer)生长技术在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中原位制备了Al/SO-Si/SO/p-Si纳米结构.......
采用电子束光刻技术和反应离子刻蚀等工艺,在P型SIMOX硅片上成功地制备了一种单电子晶体管.提供了一种制备量子线和量子点的工艺方......
基于库仑阻塞效应和量子尺寸效应工作的单电子晶体管(SET)由于具有超小器件尺寸、超低功耗、超低工作电流和超高工作频率等特点,受......
以《大学物理》中"导体电容器的电容"教学内容为例,介绍了应如何将现代科学技术知识引进到《大学物理》课堂教学中,以丰富《大学物......
单电子隧穿现象作为纳米电子学及超高密度信息存储的理论基础已经引起了全世界科学界的广泛关注.与之相关的研究工作正在成为凝聚......
为了增强单电子晶体管中栅极和沟道量子点之间的耦合度，提高增益调节系数，发展了结合预制控制栅、电子束直写、各向异性腐蚀和热氧化......
随着分子电子学理论的日趋成熟和微电子科学技术的高速发展,微型化电子器件的创作和制备已然成为当今科技时代的研究热点。比较常......
低维纳米材料如纳米线、纳米管和石墨烯等可作为纳米器件的核心单位并且具有非常优异的电学性质而备受关注。针对当前低维纳米材料......
介绍了低维量子系统电子输运中的普适电导涨落、库仑阻塞、近藤效应和有待解决的问题,以期对想进入该领域的相关人员提供参考。......
以单电子晶体管为研究对象，系统阐述了库仑阻塞、库仑台阶、单电子隧穿等物理现象的产生机理。微观模拟与宏观建模相结合，着重介绍了......
基于HELMAN—ABELES模型，超越传统的一级近似，对磁场相关库仑阻塞下体系的磁输运性质进行了系统的理论分析．我们发现，磁场相关的库仑能......
研究了在量子点系统中的共振隧穿,光子辅助隧穿和自旋极化隧穿现象。根据紧束缚近似理论,给出了在稳态下双量子点系统的哈密顿量,......
在单电子晶体管的正统理论的基础上,建立了平稳条件下I-V特性的数值分析方法.应用该方法计算和分析了温度和栅压对单电子晶体管I-V......
研究了一种新型的铟量子点单电子晶体管，它是利用电子束直写系统的高分辨率和分子束外延设备的高度可控生长方法得到的．实现了在纳米......
概述了ZnO量子点的基本制备方法及生长特点,着重回顾了目前量子限制效应对ZnO量子点光电性能影响的研究进展.......
纳米结构的制备和纳米电子器件(单电子晶体管、单电子存储器等单电子器件)的研究是纳米电子技术中最重要的研究内容之一，是最具有生......
对单隧穿结和双隧穿结中的库仑阻塞现象进行了介绍,分析了其中电子隧穿的物理过程;然后探讨在单电子盒中如何利用库仑阻塞控制单电......
