三维光子晶体由于其内部不同折射率介质材料的周期性排列,会产生禁止特定波长的光传播的光子禁带。通过改变光子晶体的结构参数对光子禁带位置进行调谐实现对电磁波的调控。光子晶体产生的慢光效应和光子局域化被广泛应用于增强荧光材料发光。半导体二维材料单层二硫化钼（MoS₂）因其独特的光电性能,被广泛用于发光器件和电子柔性器件中。但是由于其厚度的限制,单层二硫化钼的发光强度仍然较弱,因此,采取措施增强单层二硫化钼的光致发光意义重大。主要利用光子晶体的禁带作用增强单层二硫化钼的光致发光,之后模拟仿真了光子晶体与金属纳米结构共同作用增强单层二硫化钼的光致发光。首先,通过垂直沉降法制备出三维光子晶体结构,通过调整其结构参数调谐禁带位置。再将通过化学气相沉积法制备得到的单层二硫化钼转移到光子晶体表面,使二硫化钼的吸收峰与光子晶体的禁带反射峰重合。被局域在光子晶体表面的光子与二硫化钼的激子发生能量转移,产生Rabi分裂,单层二硫化钼的激子浓度大大增加,进而增强其光致发光强度。将光子晶体与U型分裂环金属纳米结构阵列结合,通过FDTD模拟计算了U型分裂环的等离子体效应与光子晶体的禁带共同作用下对二硫化钼发光特性的调谐。禁带作用增加了二硫化钼内的发光激子浓度,等离子体效应促进激子的发光复合,两者的共同作用比仅有光子晶体的禁带作用对单层二硫化钼的光致发光增强更大。