氧化锌（ZnO）薄膜是一种新型的直接宽禁带（3.37eV）半导体材料，由于其具有独特的电学和光学性能，被广泛的应用于各种光电器件上。Al掺杂的ZnO薄膜更因其低电阻率与高可见光区透射率而有望替代ITO（In2O3:Sn），成为主要的透明导电材料。本论文采用射频（RF）磁控溅射技术，以ZnO:Al2O3（2wt%Al2O3）为靶材在普通载玻片上制备均匀、透明的多晶ZnO:Al（AZO）薄膜，研究溅射功率和缓冲层对AZO薄膜的结构、光电性能的影响。具体研究内容与主要结果如下：（1）利用磁控溅射法在载玻片上沉积薄膜，溅射功率分别为60W，100W，140W，180W，溅射后对薄膜进行退火处理。利用测试设备对薄膜的性能进行表征，结果表明不同溅射功率下Al掺杂ZnO薄膜均为高度C轴择优取向生长，适当的溅射功率（140W）下AZO薄膜呈现良好的结晶质量；所有的薄膜在可见光区域内表现出高透过率，且随着功率的增加有略微的下降；溅射功率通过改变沉积粒子的能量和晶体的结构影响薄膜的导电性能，在溅射功率为140W的条件下，可获得1.5×103Ω cm的最低电阻率。（2）在玻璃基底上分别以Al2O3材料和AZO本征材料为缓冲层制备AZO薄膜，分析不同缓冲层对AZO薄膜性能的影响。通过各项表征，结果表明缓冲层起到很好的过渡作用，能有效的缓解薄膜与基底材料之间存在的晶格失配和热失配问题。生长在缓冲层上的薄膜的表面光滑平整，C轴取向性显著提高，薄膜的结晶质量得到提高；制备得到的薄膜在可见光范围内的透射率均超过80%；加入缓冲层后薄膜的电阻率得到了改善，最低可达到6.7×104Ω cm。同时，实验发现缓冲层使用AZO本征材料时，对于失配问题的缓解能力较大。