忆阻器是无源非线性基础二端元件,具有天然的记忆功能,能够记忆流经其的电流变化,可以通过调节电压(或电流)而改变其阻值大小。忆阻器的记忆功能表现为能快速记忆大量连续数据,这为制造出速度更快、更节能的“即开型”计算机铺平了道路,也将会大大简化混沌电路结构,同时也将使纳米量级的忆阻器在大规模、超大规模集成电路中表现出独特的优越性。忆阻器在关闭电源之后依旧能够保存信息,因此忆阻器也正挑战着数码设备中通用的闪存,成为新的储存技术中使能器件的研究对象。忆阻器独特的电学性能以及可观的应用前景引起了人们广泛而强烈的关注。目前忆阻器的研究主要存在两大问题。其一,阻变机理不够清晰,即阻变特性由组成材料成分决定还是微观结构决定。其二,阻变性能缺乏稳定性,同条件下,阻变曲线的重复性不好。本文将采用虚拟仿真的方法,针对纳米量级铂金片/二氧化钛半导体薄膜/铂金薄片三明治结构的理想忆阻器进行探讨研究。本文主要工作如下:1结合忆阻器的相关原理与基础算法,依据惠普忆阻器理想模型与相关数据,自行设计、编写与调试仿真程序,完成对忆阻器的数学建模。2仿真讨论了在理想线型杂质迁移条件下,掺杂区长度、输入波形形状、输入波形幅值、激励频率等各项因素对理想忆阻器电输运性能的影响。仿真研究中,各项参数可控可调,输出结果较理想,印证了忆阻器的电学行为特征。仿真平台界面能优化忆阻器的结构参数,能对忆阻器各项参数形成宏观调控,成为忆阻器研究者的新工具,同时为忆阻器的研究提供理论指导,有一定参考价值。