单层的二硫化物XS2(X=Mo, W)在电子和光电子器件中有着广泛的应用前景。对于MoS2，1H相是通常情况下最稳定的结构。而单层的MoS2一个独特的性质是多态性，并且根据结构的不同，能得到不同的电子结构性质。例如1H-MoS2表现为半导体特性，而1T-MoS2表现为金属特性。为了拓展单层MoS2的应用，我们提出了一种利用晶格压应变来稳定1T-MoS2结构的方法。　　本论文基于密度泛函理论，研究了1T-MoS2和1T-WS2在不同应变下的晶格稳定性。通过对不同应变下的声子色散曲线进行分析，我们得出以下几个结论：　　(1)在零应变下和施加拉应变时，1T-MoS2和1T-WS2的声子色散曲线都出现了虚频，表明其结构不稳定。　　(2)当施加压应变时，1T-MoS2和1T-WS2的声子色散曲线中的虚频随着应变值的增加而逐渐减小。对于1T-MoS2，当压应变ε大于5.5％时，虚频消失，表明原本处于亚稳态的结构变得稳定；而对于1T-WS2，使得虚频消失的应变值为6.5%。　　(3)当施加压应变时，1T-MoS2和1T-WS2的能带计算结果显示1T相的金属特性不发生改变。　　我们的计算结果表明单层1T-XS2(X=Mo, W)的结构稳定性可以通过施加应变来进行调控，并且使得结构稳定的1T-MS2仍然保持原来的金属特性。由此证明我们提出的方法从理论上是可行的。