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氧化锌(ZnO)作为一种新型的直接宽禁带氧化物半导体材料,具有优良的压电、气敏、压敏等特性,而且原材料廉价丰富、无毒、化学稳定性及热稳定性好、抗辐射性强。因此,ZnO的诸多方面成为了研究的热点。为了提高ZnO薄膜质量,需要在原子水平上对薄膜生长中各种复杂的原子过程有较深入的理解。计算机模拟恰好提供了这样一个有效的手段,可以帮助我们解决一些实验当中无法实现的问题。本文应用势模型为反应力场的分子动力学方法分别研究了ZnO薄膜(00l)和(h00)表面的沉积过程,初步讨论了衬底温度(200K,50