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磁记录存储系统中通常使用复合磁头，它包含两部分：一是写入信息的软磁薄膜写磁头，另一个是读取信息的GMR读磁头。这两部分性能的优劣直接影响磁记录系统的记录性能。本论文主要以下对三部分进行了研究：一是GMR读磁头用水平取向CoCrPt硬磁偏置层的研究；二是FeCo反铁磁耦合薄膜的研究；三是FeCoN软磁薄膜的研究。主要的到了一下结果：1．直接沉积在（200）取向的CrW衬底上的CoCrPt薄膜并没有出现期望的（11（?）0）水平取向，而是（0002）垂直取向。引入一层3 nm的CoCr中间层后，我们得到了不同Pt原子百分比（8．5-25 at％）的（11（?）0）水平取向的CoCrPt薄膜。CoCr中间层层对于调整衬底层与磁性层之间的错配度，促进外延生长起到了关键作用。2．我们利用3维微磁学模型对于CoCrPt水平矫顽力的机理进行了研究，发现CoCrPt水平矫顽力是由磁晶各向异性能和磁弹性各向异性能两项决定的，当Pt的原子百分比大于15％时，CoCrPt薄膜的面内矫顽力主要由磁弹性各向异性能决定。3．我们在MgO籽层和Cr衬底上成功制备了水平取向的CoCrPt薄膜。4．在FeCo薄膜中添加了N元素后，薄膜的软磁性大为改善。薄膜的磁性随着N2流量比fN的值的变化而变化。当N2流量比fN的值为10％时，薄膜的磁性最好为：4πMs～-20 kG，Hce～4．5 Oe，Hch～1 Oe，Hk～90 Oe。N2流量比fN的值为11％是，薄膜矫顽力最小为：Hce～3Oe，Hch～0．45 Oe。N2流量比fN的值在9％-18％之间时，FeCoN薄膜都保持良好的软磁性，Hch的值为1 Oe左右。5．FeCoN薄膜有非常优异的高频响应特性，当N2流量比，fN的值为10％时，我们得到最高的铁磁共振频率为3．45 GHz。6．FeCo单层膜和FeCoN薄膜的磁性相比较是由两种不同的磁化过程决定的，FeCo单层薄膜是团簇的磁化过程；而FeCoN薄膜是均匀的颗粒，它的矫顽力的显著降低可以归因于晶粒尺寸效应。7．我们利用Ru做非磁性金属中间层制备了FeCo反铁磁耦合薄膜。在Ru层厚度为0．88 nm，反铁磁耦合薄膜的耦合最强。但薄膜的磁性并不是很好，难轴矫顽力为20 Oe。8．我们利用磁力显微镜观测薄膜表面的磁畴变化，研究了薄膜的反磁化过程。多层薄膜沉积态是上下两层对应分畴的，磁化到饱和后所有磁矩都沿外场反向排列。随着外场的降低薄膜上层磁性层先开始出现反向畴，开始翻转。当磁场降至反向40 Oe时，薄膜上层的磁畴几乎完全翻转，只有少部分由于缺陷的存在而被钉扎。反向磁场继续增大，下层磁性层磁矩开始分畴翻转。当磁畴增加至反向650 Oe时，上下两层磁性层磁矩都已翻转沿外场方向排列。即多层膜上层磁矩先随外场的降低开始分畴翻转，上层翻转后下层再开始翻转。