随着通信网络数据量的不断增大，传输速率持续提高，传统的通信网络已不能满足人们对信息交换日益增长的需求，致使大容量、高速率的光纤通信网络得到不断发展。光接收机位于光纤通信网络的数据接收端，它的性能优劣直接反映了光纤通信网络的数据传输特性，在整个光纤通信系统中占有相当重要的地位。相比基于化合物半导体设计的混合集成光接收机和标准CMOS工艺研制的单片集成光接收机，基于标准SiGe BiCMOS工艺研制的光接收机在有效成本控制的同时，可实现较高的灵敏度和带宽。因此，近年来国内外科研工作者对基于标准SiGe BiCMOS工艺设计的光接收机进行了大量研究报道。本文设计实现了一种基于IBM7WL SiGe BiCMOS标准工艺的高速光接收机。该光接收机芯片包括纵向PIN结构光电探测器、共射共栅跨阻放大器(TIA)、四级限幅放大器（LA）和输出缓冲级(Buffer)。主要研究工作包括：1、利用SiGe异质结双极晶体管（HBT）的器件结构设计了一种纵向PIN结构的光电探测器。仿真结果表明，该器件对850nm入射光波长的响应度为0.26A/W，本征带宽为7.9GHz。2、采用高跨导SiGe HBT作为输入级，构建共射共栅跨阻放大器，从而有效隔离了光电探测器耗尽区电容的影响，扩展了光接收机带宽。仿真结果表明，在1.8V电源电压供电下，当芯片驱动50Ω电阻和10pF电容负载时，光接收机前端的跨阻增益为76.67dB，-3dB带宽为2.1GHz。测试结果表明，在1.8V电源电压下，光接收机前端电路的-3dB带宽为1.2GHz，跨阻增益为72.2dB。当光接收机的误码率为10-9时，可实现1.5Gb/s的数据传输速率。