该课题主要研究的是通过片式厚膜电阻的制造技术,在现有厚膜电阻生产线上研制出由三只电阻组成的一种π型电阻网络式衰减器。该衰减器其中两个电阻阻值相同,共有三个引出端,一侧的引出端是连通的,而另一侧的引出端是断开的也就是有两个引出端。依据π型衰减器的结构以及主要的技术指标,首先选择2012型基板,在设计结构图之前,对丝网印刷、激光调阻和端涂工序的能力进行了论证,通过一次印刷两种阻值的电阻、三次调阻和手工端涂的方法就可完成该衰减器的研制。最终根据基板的外形尺寸设计结构图,制作出用于丝网印刷和手工端涂的一套阳图,并制做了简易探针卡,按照此方案研制出了RNA2012π型5dB厚膜电阻式衰减器。但是在采用2012型基板研制该衰减器的过程中,由于该衰减器的一侧端涂是断开端涂,而采用手工方法可以解决,但是很难实现量产与工艺控制。所以最终在市场上找到了1616型基板,由于该基板带有两个孔,可以实现减器的一侧断开端涂,再通过背电极的连通设计,就可以实现另一侧的连通,最终在现有厚膜电阻生产线上研制出与RNA2012π型5dB厚膜电阻式衰减器指标相同的RNA1616π型5dB厚膜电阻式衰减器。由于一次印刷两种阻值的方法适用于阻值比大于1:6的衰减器,也就是衰减量大于5dB的衰减器。所以为了研制1dB～10dB的衰减器,还要采用两次印刷不同阻值电阻的方法。通过对两种型号衰减器的研制,最终确定了高可靠性以及适用于该生产线量产的工艺流程与方法,就是选用1616型基板、采用两次印刷电阻的方法、以及三次激光调阻技术就可研制出RNA1616π型厚膜电阻式衰减器。本课题的特点有,全新的结构设计和外观设计,L形调阻图形和J形调阻图形的结合,两种不同阻值的共烧,以及为了保证高可靠性所采取的电阻体与电极之间的良好搭接,二次玻璃的良好包封,激光刻槽均在远离基板刻槽的位置。最后对衰减器做了阻值测试,温度冲击和电阻温度特性的试验,并用37369D型微波网络分析仪依据GJB2214-94《电阻式衰减器检定规程》对衰减器进行衰减量、电压驻波比和输入阻抗的检测,结果均满足要求。