超宽带隙Ga2O3和BN薄膜生长及阻变特性的研究

来源 :大连理工大学 | 被引量 : 3次 | 上传用户:my61005122
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本论文围绕超宽带隙半导体材料Ga2O3和BN的制备及阻变特性展开了研究工作。超宽带隙半导体材料因其大的禁带宽度,高的电子迁移率以及大的击穿场强,不仅成为制备高功率电力电子器件的理想材料,也成为制备深紫外波段光电器件的理想材料。此外,超宽带隙半导体材料具有的高击穿场强和高抗辐照特性,可以用于制备超薄结构低功耗的新型高性能耐辐照阻性存储器件。论文从材料的化学气相沉积生长原理、材料特性表征以及阻变存储器的制备表征等方面进行了研究工作,主要分为以下几个方面:(1)利用MOCVD方法,在具有立方晶体结构的Ga
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