降低光伏系统的成本首先要降低组件成本，而要降低组件成本首先要降低材料成本，特别是晶硅材料成本。即一是提高光电转换效率，二是薄膜化（或薄层化、薄片化）。太阳能电池厚度减小时，由于透射光引起的损失随着厚度的减小而增大，对于间接禁带材料硅来说，这种损失比直接禁带材料的大。 电池中光损失主要来源于以下三方面：①表面反射的损失；②进光面电极材料的覆盖面积对入射光总能量的损失；③由于电池厚度过薄而造成的透射损失。 针对光损失引入的陷光结构包括：①电池进光面减反，一般常采用蒸镀减反膜或表面织构；②光线射入电池体内后，增加光在吸收层的路径。例如，使吸收层的折射率大于其上下层织构材料以及加强背反射，使没有吸收的光再次返回电池吸收层，进行二次吸收；③尽量减少进光面栅线电极覆盖的面积，同时以能将光生电流最大限度的输出。计算表明：由于长波光子的低吸收率，材料薄至50μm时，电池的光电流密度随着减小。从光程计算出发来设计高收集效率的陷光结构，可使这种减小得以补偿。 目前国际上晶体硅太阳能电池厚度一般在50μm以上，陷光措施主要采取蒸镀减反膜或在表面制备绒面，单从减反效果上，绒面优于减反膜，因此，晶体硅电池中采用绒面技术是提高电池效率的措施之一。①单晶硅绒面电池的表面常采用碱腐蚀方法在表面构造金字塔结构；②多晶硅电池目前国际上大规模生产时，电池表面减反一般只采用Si₃N₄减反膜的方法。多晶硅绒面电池实验室效率虽已达到16.8％以上，但多晶硅绒面技术还没有广泛地应用于大规模生产，关键在于如何控制多晶硅绒面微结构的均匀性、稳定性和界面接触。 硅基薄膜太阳能电池在陷光上仅采用表面减反是不够的，常采用的陷光结构是：织构透明电极及背表面增反膜等。因此对透明电极材料的研究是很必要的。目前绒面SnO₂透明导电玻璃已产业化，但以此为衬底通过PECVD制备μc：Si：H薄膜时，在氢等离子体中SnO₂膜不稳定，易被还原变黑。而ZnO膜在氢等离子体中具有较好的稳定性，且渗杂ZnO薄膜的性能已可以与ITO和SnO₂薄膜相比。因此，在μc：Si：H薄膜太阳能电池中，采用ZnO：Al膜作为透明电极材料已成为趋势。