氧化锌（ZnO）一维纳米结构作为宽禁带直接带隙半导体具有优异的性能:包括大禁带宽度（3.37e V）、室温下激子束缚能高达60me V、对紫外光敏感可见光范围内几乎无响应等特点成为日盲光电探测的理想材料。因此对于ZnO一维纳米结构的研究不仅有助于紫外光电探测器的应用,同时对研究ZnO纳米线的光学特性有着重要的指导作用。本文在利用水热法生长ZnO纳米线的基础上,通过分析不同生长因素的影响在[0001]方向生长了直径可控的纳米线阵列。在此基础上分析和测量了水热法生长不同直径ZnO光学特性;为最终实现不同直径ZnO纳米线制备紫外探测器提供了实验基础。本文选用水热法作为一维ZnO纳米线的合成方法,重点通过控制前驱体浓度、反应时间、反应温度、PH值等来分析ZnO纳米线生长状况,通过优化生长参数得到直径可控的ZnO纳米线阵列;使用扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）对ZnO一维材料进行表征。同时通过不同退火温度来研究种子层对于生长ZnO纳米线的影响;最终制得直径约为50nm、100nm、150nm、180nm和200nm的ZnO纳米线阵列,并在[0001]表面有很好的取向性。在水热法制备不同直径ZnO纳米线阵列的基础上,利用光谱仪、X射线衍射等手段对ZnO纳米线进行表征,实验测得在ITO基底上生长的ZnO纳米线阵列随着直径的增加紫外发光峰值出现红移,直径约为50nm的阵列吸收峰值对应波长约为379nm;直径为200nm时此时吸收峰值对应波长为384nm;相较于本征块状ZnO材料368nm有明显红移现象。同时在红光及蓝绿光也观察到吸收峰值,但并没有明显红移。此外通过光致发光（PL）观测到随着ZnO纳米线直径的增加,紫外发光强度减弱。在基于水热法制备直径可控的ZnO纳米线基础上,通过悬涂PEDOT、蒸镀Ag电极形成ITO-ZnO-PEDOT-Ag结构紫外光电探测器;通过对三种不同ZnO纳米线直径的器件进行测量发现,直径为50nm的ZnO紫外光电探测器光响应时间较短,上升时间约为7.1s,衰减时间约为3.5s;同时光电流与暗电流之比可达270。在不施加外界电压的情况下同样检测到光电流产生,不同直径ZnO纳米线阵列吸收波长红移现象也可用来制备高精度定波长紫外探测器,这为紫外探测器的高精密应用提供了参考。