阈值电压相关论文
基于0.18μm CMOS工艺，采用浅槽隔离（STI）注入法对1.8 V LVNMOS器件进行总剂量加固，并对比分析了60Co （315 keV）与X射线（40 keV）辐照源对LV......
针对传统过温保护电路结构复杂、功耗大等问题，提出一种具有高精度的阈值可调节的过温保护电路。设计基于华虹0.35μm BCD工艺模型，......
为了提高Flash型FPGA中的Flash开关单元在擦除、编程后驱动能力的一致性，设计一种阶梯式的对Flash cell进行擦除和编程的方法.通过......
期刊
由于集成电路产业的迅速发展和电力电子功率系统对高效率的要求,以碳化硅（SiC）为典型代表的第三代半导体（宽禁带半导体）引起普遍重视。......
GaN功率器件具有高电子迁移率、高耐压、大电流密度等特点。但目前仍存在诸多关键科学问题亟待解决,如:常规GaN HEMT器件在关断状......
SiC MOSFET阈值电压漂移问题是器件可靠性面临的主要挑战，阈值电压测量的准确性对于评估器件在偏压与温度应力下的阈值电压稳定性极......
将4"-正戊基-4-氰基联苯（5CB）液晶与液晶4-[反式-4-[（E）-1-丙烯基]环己基]苯腈以5∶1的比例混合，并将预处理的碳纳米管分别与5CB单晶和......
随着国家对集成电路产业的扶持力度越来越大,国产半导体产品的需求量也越来越大,功率器件是半导体产业的重要组成部分,它不需要特......
自旋发光二极管是一种重要的自旋电子器件,该器件是在自旋电子学结合半导体材料而开展的关于自旋注入、操纵和探测的半导体自旋电......
当全耗尽的DSOI NMOS器件受到高总剂量辐射或高背栅电压的影响时,器件阈值电压与背栅电压的关系不再满足单一的线性关系。器件阈值......
碳化硅（SiC）MOSFET器件凭借开关速度快、泄漏源电流低和功率密度高等优点,被运用于新能源汽车和国防军工等高温高压大功率的工作领域......
报道了一种利用AlGaN/GaN异质结中二维电子气导电且阈值电压可调的垂直氮化镓场效应管,通过双横向沟道的设置,在提高氮化镓器件电......
近年来,随着人工智能、云计算等新兴科学技术的不断发展,对于信息存储能力的需求日益提高。为了提高存储器的密度,器件的尺寸不断......
栅极一直是SiC MOSFET可靠性研究的重点,栅极老化过程中电参数之间的耦合关系对栅极可靠性研究有至关重要的作用。为此,搭建了能够......
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料,具有高击穿场强、高电子迁移率以及较强的抗辐射能力和良好的导热性能等优点受到人们的广泛关注......
薄膜晶体管(ThinFilmTransistors，TFTs)是有源矩阵显示的核心器件。金属氧化物TFTs由于迁移率高，均匀性好，可见光透明等诸多优点被广......
薄膜晶体管(TFT)是当今平板显示领域中不可或缺的电子元器件之一。随着显示技术向着大尺寸、超高分辨率、3D显示等方向不断发展，传......
现代半导体工艺技术的不断提升极大地推动了集成电路的发展，对器件的性能需求也越来越高。工艺水平的提升，带动了器件从微米级向纳米......
核能是未来能源的重要组成部分,利用得当会为人类造福,如果使用不当会给人类带来毁灭性的灾难,而辐射探测器是发展核能必备的基础......
GaAs基半导体材料凭借着其优良的性能,促使GaAs PHEMT（Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor,赝高电子迁移率晶体管）器......
介绍了一种新型柔性液晶薄膜光开关的设计与制作。该薄膜型光开关利用聚合物分散液晶（PDLC）材料的电光特性，实现光开关的功能。描述了......
直接耦合场效应逻辑（ＤＣＦＬ）具有简单的结构、良好的速度／功耗性能，是ＧａＡｓＦＥＴＬＳＩ电路中一种重要的逻辑形式。传统Ｅ／Ｄ型ＤＣＦＬ电路具有较低的成品率和较差的温度特......
本文介绍并讨论了一种ｎ阱ＣＭＯＳ与ｎ沟ＳＣＣＤ兼容的集成电路工艺。采用这种工艺研制的模拟延迟积分器，工作电压为１５～１８Ｖ，采样频率达１．３ＭＨｚ。
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采用低电阻率的Ta2O5／SiO2、Ta2O5／Al2O3复合层制备出低压驱动ZnS：Mn薄膜电致发光器件，它的阈值电压在40V以下。当驱动电压为60V、频率......
研究了导Ｈ＋离子全固态电致变色器件性能退化的内在机制，发现有两个因素导致器件性能退化：在器件褪色过程中，存在于ＷＯ３薄膜中的水份将导致ＯＨ－在......
利用液晶弹性理论和动力学理论对共面转换液晶显示器件响应时间参数进行了分析， 将聚合物网络引入这种模式， 利用聚合物网络对液晶的......
研制了以四元系组分ＰＭＮ－ＰＴ－ＰＦＮ－ＰＣＷ陶瓷厚膜为绝缘层的无Ｙ２Ｏ３介质层和有Ｙ２Ｏ３介质层两种结构的电致发光器件，并对陶瓷厚膜的制备条件与厚膜厚度等因素对陶瓷......
在IEEE国际电子器件会议(IEDM)上,IMEC报告了一项重大进展,即在32nm节点上,利用铪基高k介质和TaC金属栅极可显著提高平面CMOS的性......
深入研究了两种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)高温退火前后的直流特性变化.槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT在500℃N2中退火5......
随着金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistors,MOSFETs)等比缩小迈向45nm技术节点,金属栅......
本文基于多晶SiGe栅量子阱SiGe pMOSFET器件物理,考虑沟道反型时自由载流子对器件纵向电势的影响,通过求解泊松方程,建立了p+多晶S......
结合了“栅极工程”和“应变工程”二者的优点,异质多晶SiGe栅应变Si MOSFET,通过沿沟道方向使用不同功函数的多晶SiGe材料,在应变......
本文在室温下制备了无结结构的低压氧化铟锌薄膜晶体管,并研究了氧分压对其稳定性的影响.氧化铟锌无结薄膜晶体管具有迁移率高、结......
采用不同溅射功率制备的铟镓氧化锌(IGZO)薄膜作为薄膜晶体管(TFT)的有源层,通过扫描电镜、霍尔效应测试仪,分析了溅射功率对IGZO......
科学技术伴随社会发展而在不断加快发展步伐,特别是在电路设计上正在逐步创新,促使低压低功能模拟集成电路设计应用取得了相对较好......
以量子点电致发光器件(QLED)中能级分布和载流子浓度的关系为理论基础,研究了QLED发光层能级变化与驱动电压的关系,建立了数学模型......
为提升器件电流等级,大功率IGBT往往由多个芯片与子单元并联组成。当芯片与子单元并联时,有效控制器件内部的均流效果非常重要。文......
采用SILVACO软件的ATLAS对双有源层非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管进行二维器件模拟,研究了在底栅顶接触的结构下,不同沟道厚度比的情......
电子元器件是电子设备的基础,是不能再进行分割的基本单元,因此电子元器件的寿命在一定程度上决定了电子设备的使用寿命。功率MOSF......
SOI MOSFET器件具有速度高、功耗低、抗辐照能力强、温度稳定性好等诸多优点,在军工、航空航天等众多领域有着广阔的应用前景.但迄......
忆阻器(memristor)被认为是除电阻器、电容器、电感器外的第四种基本电路元件,它是一种具有记忆功能的纳米级尺寸的非线性二端无源......
结合脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition,PLD)和直流(DC)磁控溅射方法成功制备了Pt/VOx/Pt/SiO2/Si阈值开关器件(TS),VOx薄膜厚......
IGZO-TFTs在显示技术领域扮演重要角色,具有高迁移率、高开关电流比、均匀性和稳定性好等优点,能够制备大面积、高分辨率、高刷新......
随着集成电路产业的快速发展,回收芯片问题受到越来越多的关注,一旦回收芯片被误用于交通、关键基础设施以及军事装备等领域,可能......
NAND闪存是一种非易失性的存储介质,由于其读取速度快、抗震性好、功耗小、噪声低等优良的特性,迅速代替传统的磁存储介质,并广泛......
