氧化锌（ZnO）作为宽禁带半导体材料在光探测、光催化、太阳能电池等光电器件具有广阔应用前景。研究其在光的作用下体内载流子的产生与复合过程对提高这些器件性能有重大意义。本文以ZnO基纳米棒阵列膜的光电流时域曲线为主要研究对象,对光生电子的存储进行定量化,并讨论了Cu（CH₃COO）₂包覆及烧结温度对光生电子的存储、光响应与弛豫阶段载流子复合的影响。本文首先采用水热法合成ZnO纳米棒阵列膜,光电流测试结果表明ZnO纳米棒阵列膜具有显著的持续光电导效应。基于电流的物理定义,对光电流时域曲线的光响应和弛豫阶段分别积分,定义了光响应阶段单位电压获得的电荷量、弛豫阶段单位电压存储的电荷量以及电荷存储效率三个重要特征值。接着对ZnO纳米棒进行Cu（CH₃COO）₂包覆,将纯ZnO与包覆后ZnO在不同温度下烧结,研究包覆与烧结温度对ZnO纳米棒阵列膜存储电荷的影响。结果表明纯ZnO纳米棒阵列膜电荷存储效率随温度升高而减小,包覆后ZnO纳米棒阵列膜存在大量表面态,Cu²⁺成功取代ZnO中的Zn²⁺形成受主型缺陷Cu_Zn,因此包覆后ZnO的单位电压获得与存储的电荷均减小。Cu_Zn在弛豫阶段作为复合中心会减小载流子寿命,从而使ZnO纳米棒存储载流子效率降低。但升高烧结温度会降低纳米棒表面态,因此包覆后ZnO纳米棒阵列膜存储载流子的能力随温度升高而增强。最后从ZnO基纳米棒阵列膜的光电流时域曲线得到暗电导、饱和光电导,同时进行指数拟合,再结合微观测试结果与能带理论,提出ZnO纳米棒中载流子复合存在快慢两个过程,慢过程与陷阱中心V_O⁰捕获电子的过程有关,快过程为载流子通过V_O²⁺、V_O⁺、V^-_Zn等复合中心复合;光照后电子激发到V_O⁺、V_O²⁺中,使陷阱中心增多,复合中心减少,导致弛豫阶段更多电子通过慢过程复合;Cu_Zn在响应阶段是陷阱中心,参与慢过程复合,而在弛豫阶段是复合中心,参与快过程复合。