ZnO是直接带隙II-VI族化合物，具有宽的禁带宽度，高的激子结合能，环境友好，原料丰富等优势，作为一种新型的光电半导体材料而备受关注。自从ZnO的室温光泵浦紫外受激发射被发现后，ZnO在紫外发光器件、低阈值激光器件、紫外探测器件等方面展现出巨大的应用潜力。然而p型掺杂是制约ZnO在光电领域应用面临的瓶颈问题，也是一个国际性难题。本论文针对制约ZnO发展的瓶颈性问题展开研究，取得的主要成果如下：1.利用等离子体辅助分子束外延技术，在蓝宝石衬底上采用高温缓冲层的方法，制备了背景电子浓度约为1.5×10¹⁶cm^-3的高质量的非故意掺杂ZnO薄膜，其比直接生长在蓝宝石上的ZnO薄膜降低了两个量级以上，与国际上报道的最好的结果(1×10¹⁶cm^-3)相差无几。2.在获得高质量非故意掺杂ZnO薄膜的基础上，通过光刻工艺构建了MSM插指结构的紫外探测器件，在8V偏压下此器件的响应度达到26000A/W，增益达到9×10⁴，这是ZnO基紫外探测器目前已报道的最大的响应度和增益之一。3.通过Li-N双受主共掺杂的方法，制备了p-MgZnO:（Li,N）薄膜，并构建了p-MgZnO:（Li,N）/n-ZnO单异质结结构的发光器件，实现了可持续工作的ZnO基发光器件，目前器件的连续工作时间已达97小时，这是ZnO基发光器件连续工作的首次报道，说明获得的p型ZnO具有良好的稳定性。4.为了获得更短波长的发光器件，制备了p-Mg_0.35Zn_0.65O:（Li,N）/n-Mg_0.20Zn_0.80的MgZnO基异质结发光器件，实现了室温下的位于355nm的电致发光，据知这是首次报道MgZnO异质结发光器件及ZnO基发光器件的最短波长之一。