垂直腔面发射激光器（Vertical cavity surface emitting laser,VCSEL）具有低成本、低阈值、高速率和低功耗等优点,在短距离光互连中有着重要的应用。随着大数据中心、超级计算机技术的发展,短距离光互连对激光器性能需求越来越高,对高速调制的850 nm VCSEL技术提出了更高要求。本文以提高850 nm VCSEL的调制带宽为主要目标。围绕VCSEL高速调制的物理机理与限制VCSEL高速调制带宽的因素展开深入研究。详细分析了干法刻蚀技术、BCB平坦化技术、氧化工艺以及金属淀积工艺对850 nm VCSEL高速调制性能的影响,最终实现了10.06GHz的-3d B的调制带宽。本论文主要的研究内容总结如下:（1）详细介绍了垂直腔面发射激光器制备相关的工艺:光刻、干法刻蚀、BCB平坦化、氧化、金属淀积等。重点介绍了光敏BCB特性及填平工艺,并通过实验最终确定了工艺参数。（2）研究了合金温度对电阻的影响。通过圆点传输线模型计算了N型欧姆接触电极、P型欧姆接触电极在不同合金温度下的电阻。最终得出N电极电阻最小的合金温度为380℃,P型电极电阻最小的合金温度为420℃。（3）研究了氧化时间、台面尺寸对器件性能的影响。在其他条件相同情况下,发现氧化时间过长氧化孔径的形状会变为不规则图形,相对于小台面器件,台面尺寸大的器件氧化后氧化孔形状更接近圆形。（4）研究了电流限制孔对VCSEL高速调制的影响。制备了氧化与未氧化的850nm VCSEL。并进行静态测试。结果显示氧化器件的阈值电流相对较小。高速VCSEL的实现,氧化工艺是关键工艺之一。高质量的氧化工艺要求合适的氧化时间、氧化后器件表面状态完好、氧化孔为圆形。（5）制备了高速的VCSEL,通过搭建测试系统测试了器件的静态特性,又通过矢量网络分析仪测试了其动态特性,对测试结果进行了分析,其阈值电流为10m A,微分电阻为68?。最大输出光功率为0.981m W,带宽为10.06GHz。其MCEF为1.7245GHz/m A^1/2,D因子为1.08GHz/m A^1/2。