本研究采用射频溅射法制备了氢化纳米硅薄膜，通过原子力显微图像、X射线衍射、拉曼谱测试以及电学性能测试，深入讨论了纳米硅薄膜的生长机制、微观结构、光学和电学特性；通过测试分析，薄膜的结构及性质主要与工作气体的成分和气压有关，随着工作气体中的氢气含量增加，氢化纳米硅薄膜的晶化度有所增大，晶粒尺寸也变大；随着沉积时间增加，薄膜厚度增长的同时，膜内晶粒的晶向趋于无序化。 从理论上讨论了制作纳米硅太阳电池的薄膜成分及结构特点——低晶化度的纳米非晶硅薄膜（晶化度～30％）作为太阳电池的吸收层，系统阐述了异质结太阳电池的工作原理。提出一种新的纳米硅薄膜电池结构——渐变结纳米非晶硅薄膜电池，通过调节薄膜生长条件和掺杂比例，控制薄膜晶化度和导电类型，从而调节材料光学带隙，有望避免突变结产生的复杂界面态，提高电池的开路电压。