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Cu层厚度和制备条件对Fe<,40>Co<,60>/Cu/Ni自旋阀在不同应力下巨磁电阻的影响

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【摘 要】

：

本实验采用离子束溅射的方法,在氧化硅衬底上制备了结构为Ta /Fe40Co60 /Cu/Ni/Ta多层膜.研究了Cu层厚度对多层膜巨磁电阻的影响。实验发现,当Cu层厚度为2.6nm,制备态薄膜GMR值达到1.6%。测量了不同应力下的磁电阻值,发现通过调节Cu层的厚度可以提高Fe40Co60/Cu/Ni自旋阀磁电阻对应力的灵敏度。在各层厚度不变的情况下,在制备自旋阀的过程中加平行于膜面的外磁场,所制

【作 者】

：

薛亚飞 

【机 构】

：

首都师范大学

【发表日期】

：

2008年05期

【关键词】

：

多层膜 巨磁电阻 自旋阀 

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本实验采用离子束溅射的方法,在氧化硅衬底上制备了结构为Ta /Fe40Co60 /Cu/Ni/Ta多层膜.研究了Cu层厚度对多层膜巨磁电阻的影响。实验发现,当Cu层厚度为2.6nm,制备态薄膜GMR值达到1.6%。测量了不同应力下的磁电阻值,发现通过调节Cu层的厚度可以提高Fe40Co60/Cu/Ni自旋阀磁电阻对应力的灵敏度。在各层厚度不变的情况下,在制备自旋阀的过程中加平行于膜面的外磁场,所制备的自旋阀GMR值达到2.4%。测量了不同应力下的磁电阻值,发现并解释了加外磁场制备的自旋阀磁

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