Ni(Co)MnIn体系交换偏置、磁电阻、磁卡效应研究

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NiMn基磁形状记忆合金在马氏体相变前后表现出一系列新奇的物理效应,如磁形状记忆效应、磁电阻效应、磁卡效应、交换偏置效应等,在传感器、驱动器、自旋电子学器件方面有重要的应用前景,引起了大家的研究兴趣。本论文系统研究了Ni(Co)MnIn磁形状记忆合金体系中的相关物理效应。采用电弧熔炼的方法制备了Ni(Co)MnIn合金,磁控溅射的方法制备了NiMnIn薄膜。首先由于NiMnIn合金在低温下处于马氏体、奥氏体两相共存的状态,在马氏体反铁磁基体上存在奥氏体铁磁相。本论文通过改变合金场冷历史的方法,调控了合金中铁磁相的体积分数,获得了巨大可调的交换偏置效应。并采用一致转动的模型,拟合了交换偏置随铁磁相磁化强度变化的规律,证实了在NiMnIn合金中外磁场可以调控铁磁相的大小其次在制备的NiMnIn合金薄膜中,观测到了线性度很好的磁电阻现象。磁电阻在高达12 T的强磁场下,仍保持很好的线性度。本文通过曲线拟合证实薄膜中同样存在铁磁、反铁磁两相共存态,外磁场使它们界面处反铁磁磁矩逐渐翻转,产生线性的磁电阻。最后通过在NiMnIn合金Ni原子位置上掺杂Co原子,提高合金的饱和磁化强度和居里温度。在Co含量为5%左右时,外加一定大小的磁场,可以把合金中高温奥氏体相捕获到低温下,在随后的升温过程中经历奥氏体—马氏体—奥氏体的相转变。基于这种相捕获拓展相变的方法,获得了可拓展磁制冷温区的磁卡效应。
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