近红外单光子探测技术逐渐成为众多应用中的关键技术,例如在量子密钥分发、激光测距和荧光成像领域等。尤其是工作在盖革模式下的InGaAs/InP雪崩二极管(APD),由于其体积小、结构紧凑和非低温致冷性能而被广泛的应用在近红外单光子探测领域。得益于越来越多先进的雪崩噪声抑制技术的提出,基于InGaAs/InP雪崩二极管(APD)的单光子探测器已经可以在高速探测模式下进行性能良好的单光子探测。由于日益增加的对高速近红外单光子探测技术的需要,尤其是在量子光学如量子密钥分发,基于已知条件度量的量子态工程和线型光量子计算等方面,人们越来越多的开始去关注单光子探测器的性能参数,因此,准确评估度量单光子探测器的完整量子特性变得尤为重要。在本文中,我们通过使用电容平衡电路实现了基于InGaAs/InP雪崩二极管(APD)的高速近红外单光子探测,达到了较高的雪崩噪声抑制比,并且该单光子探测器的工作频率从10 MHz到60 MHz可调,最高可以达到34%的探测效率,同时当探测窗口时间设置在1 ns时的暗计数为9×10-3/gate。除此之外,在探测器工作在60 MHz、探测窗口时间设置为1 ns的状态下,我们进行了单光子探测器的量子层析扫描实验,并且借助于Wigner函数观察到了探测器量子特性的变化。通过改变加载在探测器上的偏置电压,我们进一步的证明了探测器从全量子域到半经典域特性的过渡过程。