光电耦合器可用于信号隔离、脉冲放大、实时控制等系统电路,随着系统可移动、小型化的迅速发展,如何降低起系统隔离作用的光电耦合器的体系,提高其速度、集成度等成为主要的研究课题,普遍的光电耦合器有两个特点:一是三极管输出型低速光电耦合器,其通道多,两路、四路、六路、八路都有,但速度慢,响应时间为us量级,二是集成电路输出型高速光电耦合器,其响应速度快达ns量级,但通道数少,一般最多为双通道.因此,常用的光电耦合器由于通道路数或者响应速度的限制已不能满足要求,针对这些问题,论文进行了八路高速光电耦合器的研究.该文在对三极管输出型光电耦合器和集成电路输出型光电耦合器的结构特点、参数特性以及典型应用作了较为详细分析和讨论的基础上,比较深入地论述了八路高速光电耦合器的研制过程.其中对器件的参数设计、结构设计、工艺设计以及可靠性设计进行了重点讨论.在结构上,器年采用了混合集成电路方式,每一路包含3个芯片,八路共计24个芯片采用二次集成技术封装在20引线双列直插陶瓷管座中.器件设计中采用独立腔体分隔技术,在保证器件的小型化及工艺实施的可行性下,将八个光路完全从物理上分离,彻底杜绝多路光信号间相互干扰.在参数方面,器件采用了高速正面红外发光二极管SLED、高速PIN探测器及光电信号处理专用集成电路ASIC三种芯片,对每种芯片的参数都作了优化设计,以满足器件整体参数的要求.在可靠性方面,对器件的引线键合强度和芯片剪切力进行了工序能力指数控制,达到了4σ水平,对于内部水汽含量,则在工艺上采取了高温烘陪、充精氮封装等措施,将水汽含量控制在5000ppm以内.最后给出了研制结果,并对主要特性参数和曲线进行了分析.器件在性能参数和可靠性方面都满足了设计要求.对于八路高速光电耦合器,目前,这种多通道、小体积、高速度的光电隔离器件,尚未查到国内外有关资料报道.在国内,作者首次采用八腔体和三芯片结构,对器件的结构、参数、工艺等进行了综合设计;并研制出高速八路光电耦合器.