卢瑟福背散射相关论文
CNO循环是超过1.3倍太阳质量恒星在其主序星阶段能量的主要来源[1]。在恒星的温度很低时,CNO循环的能量产生率受此循环中反应速率......
在核反应实验中,靶厚的精度往往会直接影响实验结果的可靠性.为精确测量重元素衬底上轻元素薄靶的厚度,本文通过卢瑟福背散射(RBS)......
以热氧化的p型硅(SiO2/Si)为衬底,运用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术以铪基金属有机源和高纯氨为反应气体在其上淀积HfNx薄膜样......
在该论文的工作中,我们研究了铋离子和氟离子在系列多元材料中的射程分布和电子阻止本领,包括以下几个方面的内容:1、在第二章和第......
离子束分析的基本原理和基础是载能离子与靶原子在原子和原子核级别的相互作用.当一束高速的带电离子撞击靶原子,入射离子将会与靶......
本文利用卢瑟福背散射/沟道技术(RBS/C)对稀土族元素铒离子和钕离子注入SiC晶体和Si晶体中的射程分布和损伤分布及退火行为进行了......
5 离子散射谱(ISS)rn表面原子的质量及结构可由离子散射谱测定.按入射rn离子的能量大小,可分为低能ISS(LEISS)、中能ISSrn(MEISS)......
采用由金属蒸汽真空弧离子源引出的强束流钛、碳离子对H13钢进行表面改性研究.钛和碳离子注入剂量分别为3×1017和1×1017 cm-2,引......
报导了在镍薄膜中掺入少量Mo提高了镍硅化物的热稳定性.结果表明,经650-800℃快速热退火形成的Ni(Mo)Si硅化物薄膜电阻值较低,约为......
卢瑟福背散射技术是分析固体表面层元素成分、杂质含量和浓度分布分析，以及薄膜厚度、界面特性分析不可缺少的手段，具有灵敏度高、分......
用磁控溅射方法制备Fe／Si薄膜，采用卢瑟福背散射（RBS）技术研究了退火过程中的相变过程和氧化．结果表明：未退火的Fe／Si薄膜界面清晰，873K退......
介绍了目前可用于A1GaN半导体异质外延膜中Al组分含量测定的多种测试技术，包括高分辨x射线衍射技术、光致发光法、紫外一可见光透射......
本文首次给出了一种具有规律性的能用来提高镍硅化物热稳定性的方法.依据此方法,首次摸索出在Ni中掺入夹层金属Ta来提高NiSi硅化物......
对卢瑟福背散射分析的基本原理作了概要的介绍.论述了背散射分析的最佳实验条件、质量分辨率和分析灵敏度.列举了卢瑟福背散射分析......
在0.4～2.0MeV的能区中,对质子轰击金靶、散射角为160°时的卢瑟福背散射离子能谱进行分析,并且测量出其微分散射截面,与计算出......
首次给出了一种具有规律性的能用来提高镍硅化物热稳定性的方法。依据此方法，摸索出在Ni中分别以夹层金属掺入Pt、Mo、Zr、W金属来......
采用卢瑟福背散射（Rutherford backscattering spectroscopy，RBS）方法对强脉冲离子束辐照Ti/Al、Al/Ti和Ni／Ti三组薄膜／衬底体系所形成......
固液界面的元素或离子(电荷)组成和动态变化反映了界面化学反应和相互作用的机理,但其原位实时高精度测量一直是个技术难题。离子......
用X射线衍射和卢瑟福背散射方法研究了生长在GaN上厚度为570nm的AlxGa1-xN外延层中的应变状态.实验结果显示AlGaN的共格因子在组分......
采用金属有机化合物气相淀积法（MOCVD）在蓝宝石上生长InxGa1-xN／GaN晶体薄膜，GaN缓冲层的厚度为2．5μm，InxGa1-xN晶体薄膜的厚度大约800n......
本工作在武汉大学建立了我国首台加速器—透射电子显微镜联机装置,并进行了初步应用。(1)联机装置由美国通用离子公司(General Ion......
核微探针结合离子束分析方法能够进行高灵敏的微区元素种类和含量分析,并可用图表示所研究样品区域中探测到的元素的显微分布。近......
用金属蒸汽真空弧源,以40kV加速电压对纯锆样品分别进行了1016—1017/cm2的钇、镧离子注入,注入温度约为130℃.然后对注入样品进行......
首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600~800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/......
近年来,研究组发展了一套利用厚衬底薄靶测量电子原子碰撞内壳层电离截面的方法.该方法具有避免制作自支撑薄靶困难的优点.最近,又......
众所周知，单晶硅是当今微电子器件的主要基底材料。硅基器件占了IC和 分立器件的绝大部分份额。然而，作为电子器件用材......
对于溅射后硒化和共蒸发等方法制备的铜铟镓硒(CIGS)太阳能电池薄膜,利用多种分析方法研究了CIGS多层膜的复杂结构等.研究表明:卢......
用两种方法测量了几种金属薄膜的密度．介绍了应用卢瑟福背散射（ＲＢＳ）技术结合台阶仪测厚来测量薄膜密度的测量方法，并将所得结果进行了讨论......
对卢瑟福背散射分析技术的基本原理、试验设备、样品要求及数据处理方法进行了介绍，并举例分析了硅衬底上钛膜厚度的测定，以及钼衬底......
采用深紫外光致发光技术测量AlxGa1-xN半导体薄膜的禁带宽度,结合软件模拟计算AlxGa1-xN薄膜的弯曲因子b,测定了AlxGa1-xN薄膜中的......
