随着电子信息技术的迅速发展,对电子元器件的小型化、低成本、多功能化以及高稳定性的要求越来越高,对相应材料也提出了更高的要求。钨青铜结构材料作为重要的一种功能材料,具有优异的介电、铁电及非线性光学等性能,得到了广泛的应用。钨青铜型材料复杂的晶体结构极大的丰富了其性能调节和优化的可能性。遗憾的是,目前对钨青铜结构材料的电学和非线性光学性能研究较多,但多为单一研究的性能,多种性能的系统性研究很少。同时对钨青铜陶瓷发光性能的研究甚少。因此,本课题通过对不同结构的钨青铜材料掺杂Eu、Ce,系统研究Eu、Ce掺杂对充满型及非充满型钨青铜陶瓷烧结、结构、介电、铁电和光学性能的影响,并探讨相互间的关系。首先,通过固相反应法制备了Eu3+掺杂Ba4La2Ti4Nb6030:xEu3+(BLTN)陶瓷。该体系所有陶瓷都为钨青铜单相,但是难以烧结致密。1kHz下,BLTN陶瓷介电常数都在450以上,而Eu3+掺杂BLTN陶瓷表现出更好的介电常数温度稳定性。同时,Eu3+掺杂BLTN陶瓷具有良好的发光性能,在激发波长为390nm时,发射峰强度随着Eu3+浓度的增加而增强,无浓度淬灭现象出现。其次,采用固相反应法制备了 Sr0.5Ba0.5Nb2O6：xEu3+(SBN50：xEu3+)陶瓷。SBN50:xEu3+陶瓷均为Sr0.5Ba0.5Nb2O6单相,但掺杂Eu3+后,陶瓷晶粒微观形貌发生明显变化:由等轴晶转变为柱状晶。介电常数随掺杂量的增加而增加:1kHz下,介电常数从未掺杂时的1148增加到x=0.06时的2004。但是,Eu3+掺杂的SBN50陶瓷室温铁电性能有所减弱。SBN50：xEu3+陶瓷同样表现出良好的发光性能。最后,采用固相反应法制备了 Ce掺杂的SBN50陶瓷,并对部分样品做了H2气氛中的退火处理。XRD表明Ce掺杂SBN50陶瓷为Sr0.5Ba0.5Nb2O6单相陶瓷,介电常数较未掺杂样品的有所增加。随着Ce掺杂量的增加,陶瓷的居里温度逐渐下降:100kHz下,掺杂量x从0变化到0.04时,居里温度从120℃下降到25℃,并且表现出弥散相变和弛豫铁电相变特征。退火处理后,Ce掺杂SBN50陶瓷的物相未发生变化,但是密度明显提高;介电常数也显著提高:掺杂量x=0.02的SBN50陶瓷的介电常数由退火前1kHz时1944剧增至退火后的6657。相同掺杂浓度下,退火后Ce掺杂的SBN50陶瓷居里温度有所降低,也表现出弥散相变特征。