Al(In)N半导体薄膜的制备与物性研究

被引量 : 0次 | 上传用户:niudaben
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
AlInN的物性一般可通过改变组分的方法进行大跨度调节,并可与GaN等材料晶格匹配,因此AlInN是比AlGaN和InGaN更为优异的三族氮化物三元合金材料。然而制备高质量的AlInN是当前的一大难题。AlN/GaN和AlGaN/GaN超晶格是当前三族氮化物超晶格结构的研究热点,而AlN/InN超晶格研究几乎尚为空白。但AlN与InN在带隙与电学等方面的特性差异极大,使AlN/InN超晶格结构具有潜在的巨大应用价值。本文就如何提高AlInN质量和AlN/InN与AlN/GaN超晶格能带结构两
其他文献
非线性现象在生活中非常普遍,它广泛地出现在非线性光学、玻色一爱因斯坦凝聚(BEC)、光子学、半导体电子学、等离子体、生物学、热传导、液晶等领域。人们一般用一些非线性偏
顧恺之
本文研究了脉冲误差对动力学退耦的工作效率所产生的影响。对于π脉冲的X轴方向误差,我们推导出误差影响的一与二阶效应,发现当理想脉冲能够有效抑制退相干时,误差影响的一阶效
激光诱导生物硬组织消融技术在牙科和骨外科领域具有广泛的应用前景,相关基础研究和医疗新技术开发是当前激光医学领域研究的热点和难点。本论文立足国内激光医学发展现状和
ZnO是一种直接宽带隙半导体材料,具有六角纤锌矿型晶体结构,在室温下的禁带宽度为3.37eV,激子束缚能约60meV。ZnO具有很好的导热、导电、化学稳定性及良好的紫外吸收性能,广泛应用于表面声波器、UV探测器、传感器、红外反射器和太阳能电池等领域。另外它还具有优越的光电性能,是制造蓝光及紫外光电器件最有应用前景的材料之一。随着光电子技术的迅速发展,对紫光和蓝光等短波长发光材料的需求越来越迫切。由